| 講演名 | 2006-10-06 ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス) 山口 泰平, 直井 弘之, 荒木 努, 名西 〓之, |
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| 抄録(和) | 我々は集束イオンビーム(Focused Ion Beam)を用いて、Ga極性GaNテンプレートにナノ加工を施し、ECR-MBE法を用いてInN結晶成長を行うことで、InNナノドットの配列・サイズを制御できることを見出したので報告する。FIBを用いて加工を行うことで、数分間で約25万個のナノホールをマスクレスで格子状に配列することが可能となる。また成長温度、ホール間隔を変化させることでドットサイズが変化すること、成長後のアニールによりドットの形状が変化し均一になることを確認した。最適条件で作製したナノドットはすべてのホールに1つずつ形成され、サイズ均一性の高いドットを作製・配列することに成功した。 |
| 抄録(英) | We report on the growth of self-aligned InN nano-dots on patterned GaN templates by electron cyclotron resonance plasma-exited molecular beam epitaxy (ECR-MBE). In the fabrication of the self-aligned InN nano-dots, InN was grown by ECR-MBE on GaN templates with reticular patterns of holes, which were prepared by focused ion beam (FIB). The reticular patterns of nano-holes with about a quarter of million pieces were fabricated on the GaN templates using FIB without a mask. The size of InN dots were controlled by varying the hole pitch and growth temperature. Furthermore, the shape of InN dots changed by thermal annealing after the growth. When InN dots were grown with the optimum conditions, each hole has a single dot with uniform sized. We have succeeded in controlling position and size of InN nano-dots array by ECR-MBE on nano-patterned substrates. |
| キーワード(和) | ECR-MBE / 量子ドット / 窒化インジウム / FIB |
| キーワード(英) | ECR-MBE / Quantum dot / Indium nitride / FIB |
| 資料番号 | ED2006-174,CPM2006-111,LQE2006-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Position and Size-controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ECR-MBE / ECR-MBE |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化インジウム / Indium nitride |
| キーワード(4)（和/英） | FIB / FIB |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 泰平 / Taihei YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 直井 弘之 / Hiroyuki NAOI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学COE推進機構 Center for Promotion of the COE Program, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 名西 〓之 / Yasushi NANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部:立命館大学COE推進機構 Department of Photonics, Ritsumeikan University:Center for Promotion of the COE Program, Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-174,CPM2006-111,LQE2006-78 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |