| 講演名 | 2006-10-06 GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス) 田沼 伸久, 久保田 稔, 鷹野 致和, |
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| 抄録(和) | ミリ波周波数逓培器用の素子としてヘテロ障壁型可変容量ダイオード(HBV)が注目されている.これまで障壁層にはGaAs系の材料が用いられてきたが,高効率・大出力を目的としてバンドギャップが大きく,絶縁破壊電界の大きい窒化物系半導体を用いることが期待される.障壁層にAlGaNを用いた場合,GaNとの格子歪みによりAlGaN層に大きなピエゾ分極が発生する為,最大容量となるときの電圧が負側に大きくシフトする結果となった.ここでは,障壁層にInAlNを用いてピエゾ分極効果を少なくすることにより,最大容量となる電圧を0V近傍にすることを試みた.基板は,サファイア基板上にn-GaN 1μm, i-GaN 5nm, i-In_<0.17>Al_<0.83>N, i-GaN 5nm, n-GaN 500nmをMOCVDにより成長させたものを用いた.容量-電圧測定の結果,バイアス電圧約-0.6Vのときに最大容量となり,AlGaN/GaN HBVの場合に比べ,分極効果の影響をより小さくすることに成功した. |
| 抄録(英) | The capacitance-voltage (C-V) characteristics of In_<0.17>Al_<0.83>N/GaN heterostructure barrier varactors (HBV) grown by metal-organic chemical vapor deposition on a c-oriented sapphire substrate were studied. The favorable material properties of wide-band-gap III-N's are important in realizing the HBVs for frequency triples and distributed line pulse sharpens for practical use. The HBV structure consists of a 10-nm-thick undoped In_<0.17>Al_<0.83>N barrier sandwiched between two undoped GaN layers with a thickness of 5nm. The barrier structure is further sandwiched between two n-GaN (n=5×10^<17> cm^<-3>) layers with respective thicknesses of 500nm and 1μm to form the top and the bottom ohmic contacts. At room temperature, the C-V characteristics show a maximum capacitance C_ |
| キーワード(和) | GaN / InAlN / ヘテロ障壁型可変容量ダイオード / ヘテロ接合デバイス / 窒化物半導体 |
| キーワード(英) | GaN / InAlN / Heterostructure Barrier Varactor / HBV |
| 資料番号 | ED2006-171,CPM2006-108,LQE2006-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN/InAlN/GaN Heterostructure Barrier Varactor Diode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | InAlN / InAlN |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ障壁型可変容量ダイオード / Heterostructure Barrier Varactor |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ接合デバイス / HBV |
| キーワード(5)（和/英） | 窒化物半導体 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田沼 伸久 / Nobuhisa TANUMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 明星大学物性研究センター Material Science Research Center, Meisei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保田 稔 / Minoru KUBOTA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 明星大学大学院理工学研究科 Faculty of Electrical Engineering, Meisei University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鷹野 致和 / Munekazu TAKANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 明星大学大学院理工学研究科 Faculty of Electrical Engineering, Meisei University |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-171,CPM2006-108,LQE2006-75 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |