| 講演名 | 2006-10-06 ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス) 淀 徳男, 嶋田 照也, 田川 澄人, 西本 亮, 日高 志郎, 石井 圭太, 瀬川 紘史, 平川 順一, 原田 義之, |
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| 抄録(和) | ECR-MBE法の問題点として、成長薄膜にダメージを与える窒素分子イオンがECRプラズマ中で発生するため、InNの成長に大きな問題となっていた。このイオンダメージを抑制するための改善策として、基板にバイアスをかける方法、磁界を用いる方法があるが、我々はInN成長時の窒素プラズマ条件を詳細に検討し、この問題点の改善を試みた。 |
| 抄録(英) | The problem of ECR-MBE method is to generate the N_2^+ ion from ECR plasma during growth that damages the film. The bad influence of ion damage becomes bigger problem in InN growth. There are two methods using the substrate bias and the magnetic field in order to control the ion damage. However, we have investigated influence of the plasma condition on the crystalline quality and tried to improve this problem in this report. |
| キーワード(和) | 六方晶InN / ECR-MBE法 / ECRプラズマ / Si(111)基板 / イオンダメージ / PL発光 |
| キーワード(英) | Hexagonal InN / ECR-plasma assisted MBE / ECR-plasma / Si(111) substrate / ion damage / PL emission |
| 資料番号 | ED2006-175,CPM2006-112,LQE2006-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of damage reduction due to N^+_2 ion on growth of InN film on Si substrate by ECR-MBE method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶InN / Hexagonal InN |
| キーワード(2)（和/英） | ECR-MBE法 / ECR-plasma assisted MBE |
| キーワード(3)（和/英） | ECRプラズマ / ECR-plasma |
| キーワード(4)（和/英） | Si(111)基板 / Si(111) substrate |
| キーワード(5)（和/英） | イオンダメージ / ion damage |
| キーワード(6)（和/英） | PL発光 / PL emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 淀 徳男 / Tokuo YODO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 嶋田 照也 / Teruya SHIMADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田川 澄人 / Sumito TAGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西本 亮 / Ryo NISHIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 日高 志郎 / Shiro HIDAKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石井 圭太 / Keita ISHII |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 瀬川 紘史 / Hroshi SEGAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 平川 順一 / Junichi HIRAKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 原田 義之 / Yoshiyuki HARADA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部一般教育科 Applied Physics, Osaka Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-175,CPM2006-112,LQE2006-79 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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