エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2007/01/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
ミリ波帯誘電体基板支持トリプレート伝送線路フィルタの不要放射抑圧(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

黒木 太司,  宮本 和哉,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-218,MW2006-171
FDTD法による共振器結合係数の算出(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

鈴木 健司,  石田 哲也,  粟井 郁雄,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-219,MW2006-172
広帯域積層導波管バランスフィルタの一検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

福永 達也,  和田 光司,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-220,MW2006-173
FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

飯田 幸雄,  中尾 公一,  大村 泰久,  田村 進,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-221,MW2006-174
低融点樹脂を用いた粉体の複素比誘電率の測定法に関する検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

大塚 健二郎,  佐藤 彰祐,  橋本 修,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-222,MW2006-175
集光レンズアンテナを用いた高損失誘電材料の複素比誘電率テンソルの測定に関する検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

宮本 昌尚,  橋本 修,  渡邊 慎也,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-223,MW2006-176
石膏ボードと抵抗膜を用いた二周波数対応型無線LAN用電波吸収体(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

中村 卓哉,  大塚 健二郎,  祥雲 勇一,  橋本 修,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-224,MW2006-177
耐環境性に優れるゴムシートを用いた円形格子型電波吸収体に関する検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

小澤 健,  松本 好太,  三浦 裕,  岡田 治,  橋本 修,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-225,MW2006-178
CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

森脇 孝雄,  山本 和也,  小川 喜之,  三浦 猛,  前村 公正,  紫村 輝之,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-226,MW2006-179
携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

竹中 功,  石倉 幸治,  高橋 英匡,  長谷川 浩一,  上田 隆,  栗原 俊道,  麻埜 和則,  岩田 直高,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-227,MW2006-180
GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

後藤 清毅,  國井 徹郎,  井上 晃,  大植 利和,  河野 正基,  奥 友希,  石川 高英,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-228,MW2006-181
高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

井上 晃,  天清 宗山,  後藤 清毅,  國井 徹郎,  奥 友希,  石川 高英,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-229,MW2006-182
InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

上綱 秀樹,  山根 康朗,  徳光 雅美,  菅原 裕彦,  榎木 孝知,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-230,MW2006-183
GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

山本 和也,  宮下 美代,  小川 喜之,  三浦 猛,  紫村 輝之,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-231,MW2006-184
ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

田村 隆博,  小谷 淳二,  葛西 誠也,  橋詰 保,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-232,MW2006-185
Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

渡邉 則之,  横山 春喜,  廣木 正伸,  小田 康裕,  八木 拓真,  小林 隆,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-233,MW2006-186
AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

松尾 尚慶,  上野 弘明,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-234,MW2006-187
ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

上本 康裕,  引田 正洋,  上野 弘明,  松尾 尚慶,  石田 秀俊,  柳原 学,  上田 哲三,  田中 毅,  上田 大助,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-235,MW2006-188
絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

金村 雅仁,  多木 俊裕,  今西 健治,  牧山 剛三,  岡本 直哉,  原 直紀,  吉川 俊英,  常信 和清,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-236,MW2006-189
GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

齋藤 渉,  土門 知一,  津田 邦男,  大村 一郎,  

[発表日]2007/1/10
[資料番号]ED2006-237,MW2006-190
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