| 講演名 | 2007-01-19 ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 上本 康裕, 引田 正洋, 上野 弘明, 松尾 尚慶, 石田 秀俊, 柳原 学, 上田 哲三, 田中 毅, 上田 大助, |
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| 抄録(和) | 我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理に基づいて動作するGaNパワートランジスタ(Gate Injection Transistor: GIT)を開発した。GITはAlGaN/GaN FETのゲート部に形成したp型ゲートによりゲート直下のチャネル部の電位を持ち上げて電子を枯渇させ、ノーマリオフ特性を実現する。さらに、p型ゲートからチャネル部へホール注入させることにより、チャネル部の伝導度を変調させてチャネル抵抗を低減させる。これによりノーマリオフにもかかわらず低オン抵抗なGaNトランジスタの実現が可能となった。作製したGITはしきい値が+1Vと良好なノーマリオフ特性を示し、最大ドレイン電流が200mA/mm、オン抵抗および耐圧はそれぞれ2.6mΩcm^2、640Vと、これまでに報告されたノーマリオフ型GaNトランジスタの中で最も優れた値を得ることができた。 |
| 抄録(英) | We report a normally-off GaN-based transistor using conductivity modulation, which we call GIT (Gate Injection Transistor). This new device principle utilizes hole-injection from p-AlGaN to AlGaN/GaN hetero-junction, which increases electron density in the depleted channel resulting in dramatic increase of the drain current owing to the conductivity modulation. The fabricated GIT exhibits the threshold voltage of 1.0V with high maximum drain current of 200mA/mm. The obtained on-state resistance (R_ |
| キーワード(和) | GaN / Si基板 / ホール注入 / 伝導度変調 / パワーデバイス / 低オン抵抗 / 高耐圧 |
| キーワード(英) | GaN / Si substrate / hole injection / conductivity modulation / high power switching device / low specific on-state resistance / high breakdown voltage |
| 資料番号 | ED2006-235,MW2006-188 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/1/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Normally-Off AlGaN/GaN Transistor with Low On-State Resistance Using Hole-Injection |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | ホール注入 / hole injection |
| キーワード(4)（和/英） | 伝導度変調 / conductivity modulation |
| キーワード(5)（和/英） | パワーデバイス / high power switching device |
| キーワード(6)（和/英） | 低オン抵抗 / low specific on-state resistance |
| キーワード(7)（和/英） | 高耐圧 / high breakdown voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 引田 正洋 / Masahiro Hikita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上野 弘明 / Hiroaki Ueno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松尾 尚慶 / Hisayoshi Matsuo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 柳原 学 / Manabu Yanagihara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / Daisuke Ueda |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-01-19 |
| 資料番号 | ED2006-235,MW2006-188 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 459 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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