| 講演名 | 2007-01-19 InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 上綱 秀樹, 山根 康朗, 徳光 雅美, 菅原 裕彦, 榎木 孝知, |
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| 抄録(和) | Cold FETとしてInP HEMTを使用したSP8Tスイッチと三層配線プロセスで構成した伝送線路を組み合わせた8×8スイッチマトリクスMMICについて述べる。従来構成と比較して所要SP8Tスイッチ数、伝送線路数および配線交差数を削減できる回路構成により、0.4mm^2の領域に8×8スイッチマトリクスを実現する。低ON抵抗かつ低OFF容量のInP HEMTを適用することにより、シリーズ構成で直流から10GHz以上の広帯域で動作するSP8Tスイッチを構成できる。試作したMMICは、10GHz以下の周波数で、挿入損失3.9dB以下、アイソレーション26.5dB以上の良好な特性を示し、12.5Gbit/sまでのデータ信号に対してエラーフリー動作を達成する。 |
| 抄録(英) | An 8×8 switch matrix MMIC using cold-FET SP8T switches is presented. InP HEMTs with a low Ron・Coff product enable us to construct a dc-to-over-10-GHz SP8T switch in a series configuration. The multilayer interconnection with top-metal-and dielectric-layer thickness of 5μm allows us to configure interconnection transmission lines quite compactly, which is essential for wideband operation. The switch matrix IC using these technologies with a novel size-reduction technique is as small as 0.4mm^2 (core area) and achieves low insertion loss (<3.9dB) and high isolation (>26.5dB) below 10GHz. We confirmed error-free operation up to 12.5Gbit/s with good eye openings even when eight data signals are simultaneously input to the switch IC. |
| キーワード(和) | FETスイッチ / InP HEMT / MMICスイッチ / 広帯域 / 小型 / 低消費電力 |
| キーワード(英) | FET switches / InP HEMT / MMIC switches / wideband / small / low power |
| 資料番号 | ED2006-230,MW2006-183 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/1/10(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Miniaturized, Wideband 8x8 Switch Matrix MMIC Using InP HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FETスイッチ / FET switches |
| キーワード(2)（和/英） | InP HEMT / InP HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | MMICスイッチ / MMIC switches |
| キーワード(4)（和/英） | 広帯域 / wideband |
| キーワード(5)（和/英） | 小型 / small |
| キーワード(6)（和/英） | 低消費電力 / low power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上綱 秀樹 / Hideki KAMITSUNA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山根 康朗 / Yasuro YAMANE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTエレクトロニクス(株) NTT Electronics NTT Advanced Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徳光 雅美 / Masami TOKUMITSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菅原 裕彦 / Hirohiko SUGAHARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTアドバンステクノロジ(株) NTT Advanced Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo ENOKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2007-01-19 |
| 資料番号 | ED2006-230,MW2006-183 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 459 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |