| 講演名 | 2007-01-19 ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 田村 隆博, 小谷 淳二, 葛西 誠也, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMT構造をメサ形状に加工してショットキーラップゲート(WPG)を形成したナノ細線FETを作製し、評価を行った。作製したデバイスは、細線幅を500nm以下まで小さくすることにより、しきい値電圧が正方向にシフトする結果が得られた。WPGでは、細線構造の上方向と横方向からの電界制御が可能であり、2次元ポテンシャル計算を行い細線構造の解析をしたところ、WPG構造において細線幅が小さいデバイスは、幅が大きいものに比べ電界制御の効果を大きく受けることを確認した。その一方で、プロセスダメージに起因した結晶欠陥により細線の空乏が生じたことで、しきい値電圧のずれやドレイン電流の低下が見られた。 | |||
| 抄録(英) | Schottky wrap gate (WPG) controlled AlGaN/GaN nanowire FETs were fabricated and characterized. The devices with channel width less than 500nm showed V_ | shift toward a positive bias direction. A 2D potential simulation predicted lateral field effect from the mesa-edge in addition to the normal gate field, resulting in the V_ | shift. However, the V_ | shift obtained experimentally was much larger than the calculated one, probably due to unexpected depletion of channel associated with process-induced defects. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / HEMT / ショットキーラップゲート / しきい値電圧制御 | |||
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / schottky wrap gate (WPG) / HEMT / threshold voltage control | |||
| 資料番号 | ED2006-232,MW2006-185 | |||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Schottky-Wrap-Gate Controlled AlGaN/GaN Nanowire FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / schottky wrap gate (WPG) |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキーラップゲート / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | しきい値電圧制御 / threshold voltage control |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田村 隆博 / Takahiro TAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター:大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Information Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小谷 淳二 / Junji KOTANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター:大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Information Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya KASAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター:大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Information Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター:大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Information Science and Technology |
| 発表年月日 | 2007-01-19 |
| 資料番号 | ED2006-232,MW2006-185 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 459 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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