平成19年 3月 6日 施行
平成23年 7月15日 一部改正
平成24年10月26日 一部改正
平成27年12月21日 一部改正
平成29年10月31日 一部改正
平成29年度施行
- エレクトロニクスソサイエティ学生奨励賞の選定分野は電磁波基盤技術領域委員会、フォトニクス技術領域委員会、回路・デバイス・境界技術領域委員会に対応する以下の三分野（カッコ内は対応する研究専門委員会）とする。
- 電磁界理論およびマイクロ波（電磁界理論、マイクロ波／THz、エレクトロニクスシミュレーション）
- 光半導体およびフォトニクス（光エレクトロニクス、レーザ・量子エレクトロニクス、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、ポリマー光回路、集積・超高速光エレクトロニクス、シリコン・ナノフォトニクス）
- 回路およびエレクトロニクス（電子部品・材料、電子デバイス、シリコン材料・デバイス、電子ディスプレイ、機構デバイス、磁気記録・情報ストレージ、集積回路、超伝導エレクトロニクス、有機エレクトロニクス）
- 時限研究専門委員会が担当するセッション、複数の研究専門委員会が共催するシンポジウム等の扱いは、エレクトロニクスソサイエティ学生奨励賞選定委員長が都度決定するものとする。
- 運営委員会は、各分野の選定対象者数の比が２倍を越えないよう、適宜分野の見直しを行う。研究専門委員会の改廃、新設があった場合、その他選定に不都合を生じた場合も見直しを行う。