エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2003/06/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]
[Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

廣瀬 裕,  池田 義人,  石井 基範,  村田 智洋,  井上 薫,  田中 毅,  江川 孝志,  石川 博康,  神保 孝志,  

[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-82,SDM2003-93
[Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

牧本 俊樹,  熊倉 一英,  小林 直樹,  

[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-83,SDM2003-94
[Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

佐野 芳明,  大来 英之,  海部 勝晶,  見田 充郎,  鷺森 友彦,  槙田 毅彦,  山田 朋幸,  石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  

[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-84,SDM2003-95
100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

三好 実人,  / 石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  

[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-85,SDM2003-96
Effects of device passivation on AlGaN/GaN HEMTs using electron beam evaporated SiO_2 and Si_3N_4(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-86,SDM2003-97
[Invited] The Impact of nm CMOS Technology on Wireless Circuit and System(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-87,SDM2003-98
Design of 12-Bit 500MHz CMOS Current-Mode DAC With Deglitch Circuit : Design of Wide Bandwidth Digital to Analog Converter(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-88,SDM2003-99
Monolithic VCOs with High Q MEMS Inductors for RF Applications(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-89,SDM2003-100
1/f Noise in Large Grain Poly-Si TFT's(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]ED2003-90,SDM2003-101
奥付

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/6/24
[資料番号]