| 講演名 | 2003/6/24 [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ) 廣瀬 裕, 池田 義人, 石井 基範, 村田 智洋, 井上 薫, 田中 毅, 江川 孝志, 石川 博康, 神保 孝志, |
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| 抄録(和) | 超低雑音・低歪特性を同時に有するAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタを開発したので、ここに報告する.本デバイスは2GHzにおいて、極めて低い最小雑音指数0.4dBと高い付随電力利得16dB を有し、かつ、相互変調歪の入力3次インターセプトが+13dBmと非常に高い.今回、このような良好な特性が得られたのは、次の3点による.(1)良好なエピ層による高い相互コンダクタンス特性と低バッファー・リークの実現・(2)熱酸化による良好な素子分離特性の実現.(3)Pd-Si合金ゲートによる超低ゲートリークの達成.本結果は元来耐サージ性の高いAlGaN/GaN HFET が低雑音と広ダイナミック・レンジが同時に要求される移動体通信システムのフロントエンドに極めて有望であることを実証するものである. |
| 抄録(英) | We present ultra low noise- and low distortion performances of an AlGaN/GaN heterojunction FET (HFET); at 2 GHz, the minimum noise figure (NF_ |
| キーワード(和) | AlGaN-GaN HFET / 低雑音増幅器 / 雑音指数(NF) / 相互変調歪 |
| キーワード(英) | AlGaN-GaN HFET / low noise amplifier / noise figure (NF) / intermodulation distortion |
| 資料番号 | ED2003-82,SDM2003-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited]Low noise and low distortion performances of an AlGaN/GaN HFET : Application of the nitride-based devices for front-ends(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN-GaN HFET / AlGaN-GaN HFET |
| キーワード(2)（和/英） | 低雑音増幅器 / low noise amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 雑音指数(NF) / noise figure (NF) |
| キーワード(4)（和/英） | 相互変調歪 / intermodulation distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 裕 / Yutaka HIROSE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池田 義人 / Yoshito IKEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石井 基範 / Motonori ISHII |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 村田 智洋 / Tomohiro MURATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 薫 / Kaoru INOUE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi TANAKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微細構造デバイス研究センター Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微細構造デバイス研究センター Nagoya Institute of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi JIMBO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微細構造デバイス研究センター Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/6/24 |
| 資料番号 | ED2003-82,SDM2003-93 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 163 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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