| 講演名 | 2003/6/24 [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ) 佐野 芳明, 大来 英之, 海部 勝晶, 見田 充郎, 鷺森 友彦, 槙田 毅彦, 山田 朋幸, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, |
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| 抄録(和) | 開発したリセスゲートAlGaN/GaN-HEMTはソース抵抗を低減できる、安定動作が期待できるなどの特徴を持っている。 AlGaN/GaNヘテロ構造における、AlGaN中のAl組成比の検討を行った。サファイア基板上にゲート電極の断面がT型で、ゲート長が0.15μmのHEMTを試作したところ、最大のgmが450mS/mm という極めて良好な特性を示したとともに、遮断周波数(f_T)が67GHz 、最大動作周波数(f_ |
| 抄録(英) | High performance AlGaN/GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) with recessed gate have been successfully fabricated on sapphire substrate. The HEMT with T shape recessed gate of 0.1μm gate length exhibited excellent current saturation properties. The maximum extrinsic trans-conductance (gm) was as high as 450 mS/mm. To our knowledge, this is the highest value of any GaN-based FETs ever reported. Moreover, the HEMTs exhibited excellent high frequency performances. A maximum unity current cut-off frequency, f_T, of 67 GHz and a maximum oscillation frequency, f_ |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / HEMT / リセスゲート / サファイア基板 / 高周波 / 高耐圧 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / recessed gate / sapphire substrate / silicon carbide / high frequency / high breakdown voltage |
| 資料番号 | ED2003-84,SDM2003-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/6/24(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited]High Performance AlGaN/GaN HEMTs with Recessed Gate(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | リセスゲート / recessed gate |
| キーワード(4)（和/英） | サファイア基板 / sapphire substrate |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波 / silicon carbide |
| キーワード(6)（和/英） | 高耐圧 / high frequency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐野 芳明 / Yoshiaki SANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corp. Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大来 英之 / Hideyuki OKITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corp. Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 海部 勝晶 / Katsuaki KAIFU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corp. Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 見田 充郎 / Juro MITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corp. Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鷺森 友彦 / Tomohiko SAGIMORI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corp. Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 槙田 毅彦 / Takehiko MAKITA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corp. Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山田 朋幸 / Tomoyuki YAMADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corp. Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス研究センタ Nagoya Institute of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス研究センタ Nagoya Institute of Technology |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi JIMBO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス研究センタ Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/6/24 |
| 資料番号 | ED2003-84,SDM2003-95 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 163 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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