エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2002/01/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/1/22
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/1/22
[資料番号]
カーボンナノチューブ探針を用いた半導体表面のAFM・KFM測定

前田 親志,  尾関 宣仁,  岸本 茂,  水谷 孝,  菅井 俊樹,  篠原 久典,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-232,2001-SDM-235
GaAs(001)Ga安定化面に形成したSi超薄膜のSTMによる評価

根来 昇,  中野 雄太,  長谷川 英機,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-233,2001-SDM-236
BEEMを用いた電子波回折観測法の提案

町田 信也,  古屋 一仁,  深澤 優壽,  前 堅一,  平田 朋彦,  宮本 大悟,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-234,2001-SDM-237
ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス

金 智,  遠藤 眞,  橋詰 保,  葛西 誠也,  長谷川 英機,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-235,238-SDM-238
GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態

斎藤 敏夫,  荒川 泰彦,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-236,2001-SMD-239
直径・殻厚の大きい単層カーボンナノチューブアレイにおける超伝導近接効果

高沢 一也,  桐山 裕志,  石田 伸哉,  武末 出美,  春山 純志,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-237,2001-SDM-240
量子井戸構造のフォトンアシストトンネルとテラヘルツデバイス応用

浅田 雅洋,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-DE-238,2001-SDM-241
位置制御成長カーボンナノチューブによる室温クーロンブロッケイド特性

木下 誠三,  松本 和彦,  倉知 孝介,  後藤 芳孝,  根本 俊雄,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-239,2001-SMD-242
InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用

村中 司,  伊藤 章,  江 潮,  長谷川 英機,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-240,2001-SDM-243
Al_2O_3/Si構造を用いた共鳴トンネルデバイスの形成

石田 誠,  古字 芳明,  / 高橋 成也,  伊藤 了基,  澤田 和明,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-241,2001-SMD-244
ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード

渡辺 正裕,  石川 達也,  松田 克己,  金澤 徹,  浅田 雅洋,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-242,2001-SDM-245
室温下で高PVCRを有するSi_<1-x>Ge_/Si3重障壁共鳴トンネルダイオード

須田 良幸,  目黒 明彦,  前川 裕隆,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-243,2001-SMD-246
MOCVDを用いた歪み系In_<0.8>Ga_<0.2>As/AlAs RTDの高性能化

松崎 秀昭,  杉山 弘樹,  大坂 次郎,  小林 隆,  榎木 孝知,  

[発表日]2002/1/22
[資料番号]2001-ED-244,2001-SDM-247
[OTHERS]

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[発表日]2002/1/22
[資料番号]