| 講演名 | 2002/1/22 量子井戸構造のフォトンアシストトンネルとテラヘルツデバイス応用 浅田 雅洋, |
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| 抄録(和) | 共鳴トンネル構造におけるTHzフォトンアシストトンネルの観測と、THzレーザや三端子増幅素子への応用の可能性について述べる。フォトンアシストトンネルの観測では、三重障壁共鳴トンネルダイオードにTHz帯平面アンテナを集積した素子を作製し、多光子過程の誘導放出と吸収を伴うTHzフォトンアシストトンネルを得た。観測結果は密度行列による理論解析と非常によく一致した。この結果から、デバイス応用としてTHzレーザを構成した場合の線形・非線形THz利得係数、レーザ発振しきい値、出力特性を予測した。しきい値電流密度はミリ波帯電子デバイスの動作電流密度と同程度で、実現可能な範囲にある。またフォトンアシストトンネルと電子波ビートを利用した三端子増幅素子の可能性についても述べる。 |
| 抄録(英) | Observation of THz photon-assisted tunneling in resonant tunneling diodes and its possible application to the THz lasers and three-terminal devices are describeed. The photon-assisted tunnelingincluding multi-photon stimulated emission and absorption processes was observed in triple-barrier resonant tunneling diodes integrated with THz planar antennas. Very close agreement was obtained between the observation and the theoretical analysis with the density matrix. The gain coefficients linear and nonlinear in the THz field, the threshold and output characteristics of the THz lasers were estimatd from these results. The threshold current density was estimated to be comparable with operation level of the present millimeterwave electron devices. A possible three-terminal device using the photon-assisted tunneling and electron beat wave is also discussed. |
| キーワード(和) | 共鳴トンネル構造 / THzフォトンアシストトンネル / THzレーザ / THz三端子素子 |
| キーワード(英) | resonant tunneling / THz photon-assisted tunneling / THz lasers / THz three-terminal devices |
| 資料番号 | 2001-DE-238,2001-SDM-241 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/1/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 量子井戸構造のフォトンアシストトンネルとテラヘルツデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photon-Assisted Tunneling in Quantum Well Structures and Its Application to Terahertz Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネル構造 / resonant tunneling |
| キーワード(2)（和/英） | THzフォトンアシストトンネル / THz photon-assisted tunneling |
| キーワード(3)（和/英） | THzレーザ / THz lasers |
| キーワード(4)（和/英） | THz三端子素子 / THz three-terminal devices |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro ASADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/1/22 |
| 資料番号 | 2001-DE-238,2001-SDM-241 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 621 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |