| 講演名 | 2002/1/22 ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード 渡辺 正裕, 石川 達也, 松田 克己, 金澤 徹, 浅田 雅洋, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | シリコン基板上に積層エピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF_2)と弗化カドミウム(CdF_2)を用いたへテロ接合は、その接合界面に大きな(～2.9eV)の伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、CdF_2/CaF_2ヘテロ構造の結晶成長を原子層厚レベルで制御するため、結晶成長領域を100nm程度の微細な領域に限定するナノ領域エピタキシーを提案し、CdF_2-CaF_2二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)の微分負性抵抗特性評価を行った。また、この方法を適用してシリコン(100)基板上に作成したCdF_2/CaF_2RTDにおいて、はじめて室温微分負性抵抗特性を観測したので報告する。 |
| 抄録(英) | CdF_2-CaF_2 heterostructures are attractive materials for quantum devices on silicon substrate because of large conduction band discontinuity (～2.9eV) at the heterointerface. We have studied crystal growth technique and current-voltage characteristics of CdF_2-CaF_2 double barrier resonant tunneling diode (DBRTD) structures grown by using nano-area (～100nm) epitaxy with partially ionized beam and molecular beam epitaxy technique on Si(111) and Si(100) substrate. Room temperature negative differential resistance of submicron-siza CdF_2/CaF_2 DBRTD grown on Si(100) substrate has been demonstrated for the first time. |
| キーワード(和) | 弗化カルシウム / 弗化カドミウム / 共鳴トンネルダイオード / エピタキシャル成長 / 微小領域 / 微分負性抵抗 |
| キーワード(英) | CaF_2 / CdF_2 / Resonant Tunneling Diode / Epitaxial growth / Nano-area epitaxy / Negative differential resistance |
| 資料番号 | 2001-ED-242,2001-SDM-245 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CdF_2/CaF_2 Resonant Tunneling Diode Grown on Si(111) and Si(100) Substrate using Nano-area Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 弗化カルシウム / CaF_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 弗化カドミウム / CdF_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / Resonant Tunneling Diode |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | 微小領域 / Nano-area epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | 微分負性抵抗 / Negative differential resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正裕 / Masahiro WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻 : 科学技術振興事業団, さきがけ研究21, 「ナノと物性」領域 Department of Information Processing, Tokyo Institute of Technology : PRESTO, JST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 達也 / Tatsuya ISHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻 Department of Information Processing, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松田 克己 / Masaki Matsuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻 Department of Information Processing, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 金澤 徹 / Tohru Kanazawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻 Department of Information Processing, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro ASADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻 Department of Information Processing, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/1/22 |
| 資料番号 | 2001-ED-242,2001-SDM-245 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 621 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |