エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2000/12/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/12/14
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/12/14
[資料番号]
ガスクラスターイオンビームの大電流化及び表面高機能化

金原 啓道,  瀬木 利夫,  松尾 二郎,  高岡 義寛,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-167
短TAT化を実現するTEM試料作製技術

吉田 正昭,  橋川 直人,  廣瀬 幸範,  福本 晃二,  益子 洋治,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-168
SOIウェーハ貼り合わせ界面付近のキャリア分布に及ぼすアニールの影響

伊藤 慎也,  内田 秀雄,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-169
分子動力学法を用いたFイオン照射によるSi表面エッチングのシミュレーション

千葉 俊一,  青木 学聡,  松尾 二郎,  高岡 義寛,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-170
水素稀釈したジボランイオンシャワー注入されたシリコン中の欠陥分布

永 浩介,  横田 勝弘,  中村 和広,  丹上 正安,  松田 耕自,  高野 弘道,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-171
UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長

斉藤 徹,  神澤 好彦,  幸 康一郎,  豊田 健治,  浅井 明,  高木 剛,  久保 実,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-172
CAICISSによるGe/Si界面での偏析・拡散現象の評価

[トク]田 崇,  服部 恭典,  沖仲 元毅,  太田 淳,  布下 正宏,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-173
極薄SiO_2膜の直接トンネル電流の検討

高見 義則,  北川 康則,  松尾 直人,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-174
CVD-TiNゲート中の残留C1がゲート絶縁膜特性に及ぼす影響

森脇 將,  山田 隆順,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-175
MOD法によるBi_2SiO_5薄膜の低温作製と諸特性

山口 正樹,  長友 隆男,  増田 陽一郎,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-176
軟X線アブレーションによるPTFE低誘電率膜の作製

高馬 悟覚,  毎田 修,  奥本 雅規,  上野 正人,  北井 聡,  金島 岳,  奥山 雅則,  大橋 治彦,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-177
レーザーアブレーション法による高誘電率ZrO_2薄膜の作製とその評価

上野 正人,  毎田 修,  北井 聡,  金島 岳,  奥山 雅則,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-178
ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価

大島 享介,  徳光 永輔,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-179
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ駆動発光ポリマーディスプレイ

木村 睦,  野澤 陵一,  前田 浩,  松枝 洋二郎,  井上 聡,  宮下 悟,  下田 達也,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-180
ポリシリコンTFTのパルス電圧ストレスによる劣化機構

豊田 善章,  芝 健夫,  大倉 理,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-181
エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討

河本 直哉,  阿部 寿,  田口 亮平,  松尾 直人,  納田 朋幸,  浜田 弘喜,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-182
低温ポリシリコンTFTにおけるホットキャリア効果

加藤 健介,  浦岡 行治,  畑山 智亮,  冬木 隆,  川村 哲也,  土橋 友次,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-183
多結晶Si太陽電池におけるライフタイムキラーの局所的分布

黒部 憲一,  三浦 峰生,  松波 弘之,  

[発表日]2000/12/14
[資料番号]SDM2000-184
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