| 講演名 | 2000/12/14 ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価 大島 享介, 徳光 永輔, |
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| 抄録(和) | SiO_2換算膜厚<2nmとなる次世代MOSFETゲート絶縁膜として、高誘電率材料の使用が試みられているが、その候補としてZr、Hf、La、Pr等の酸化物が挙げられている。今回、我々はゾルゲル法によりPt基板上にZrO_2、SrZrO_3を作製し、その特性を評価した。700℃でアニールした試料の比誘電率は、ZrO2で23程度、SrZrO_3で30程度となり、SrZrO_3の方が若干ではあるが大きな比誘電率が得られた。1Vにおけるリーク電流密度はZrO_2で10^<-5>A/cm^2、SrZrO_3で10^<-7>A/cm^2が得られた。また、ZrO_2、SrZrO_3とも、バンドギャップは5.3～5.5eVであった。さらに、Si基板上に作製した実膜厚30nmのZrO_2膜において、実効的な比誘電率が18、EOT=6.5nmとなった。これは、界面層として2.5nm程度のSiO_2が形成された為である。 |
| 抄録(英) | Recently, high-dielectric-constant (high-k)materials have been attracted much attention for next generation MOSFET's gate insulator with an EOT(SiO_2 equivalent thickness)of less than 2nm. In this work, we prepared ZrO_2 and SrZrO_3 films on Pt and Si substrates by the sol-gel method. It was found that the dielectric constant of ZrO_2 was about 23 and that of SrZrO_3 was about 30, respectively. The leakage current density of ZrO_2 film was about 10^<-5>A/cm^2 at 1V, while that of SrZrO_3 film was about 10^<-7>A/cm^2 at 1V. The bang gaps of ZrO_2 and SrZrO_3 were measured to be 5.3-5.5eV. An EOT of 30nm ZrO_2 film prepared on Si was as large as 6.5nm, because a 2.5nm SiO_2 layer was formed at the ZrO_2/Si interface. |
| キーワード(和) | ゲート絶縁膜 / 高誘電率材料 / ZrO_2 / SrZrO_3 / ゾルゲル法 |
| キーワード(英) | gate insulator / high-k material / ZrO_3 / SrZrO_3 / sol-gel method |
| 資料番号 | SDM2000-179 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/12/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of High Dielectric Constant ZrO_2 and SrZrO_3 Thin Films Prepared by Sol-gel Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲート絶縁膜 / gate insulator |
| キーワード(2)（和/英） | 高誘電率材料 / high-k material |
| キーワード(3)（和/英） | ZrO_2 / ZrO_3 |
| キーワード(4)（和/英） | SrZrO_3 / SrZrO_3 |
| キーワード(5)（和/英） | ゾルゲル法 / sol-gel method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大島 享介 / K. Osima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision & Intelligence Lab. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / E. Tokumitsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision & Intelligence Lab. |
| 発表年月日 | 2000/12/14 |
| 資料番号 | SDM2000-179 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 517 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |