| 講演名 | 2000/12/14 ガスクラスターイオンビームの大電流化及び表面高機能化 金原 啓道, 瀬木 利夫, 松尾 二郎, 高岡 義寛, |
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| 抄録(和) | 半導体デバイスの微細化・多様化に伴い、より高機能の微細加工プロセスが必要とされている。原子・分子の集合体であるクラスターを用いたクラスターイオンビーム技術は固体表面との衝突時に多体衝突効果を生じることから、スパッタリングや薄膜形成において従来の単原子イオンビームとは異なる照射効果が得られる。今回、クラスターイオンビームプロセスの産業分野への導入を検討するため、大電流ガスクラスターイオンビーム照射装置の開発を行った。また、種々の半導体材料の平坦化および高品質透明導電膜の形成行い、クラスターイオン照射による高機能材料の創製について述べる。 |
| 抄録(英) | The development of high performance surface modification and thin film formation processes becomes more important because of decreasing scale of semiconductor devices and increasing variations of target materials. Cluster ion beam process has been proposed as a new surface modification process due to its characteristic collisional process between cluster and solid target. In this work, the high-current cluster ion beam irradiation system were developed aiming to introduce the cluster ion beam process to industrial applications. Additionally, the ultra-smoothing of various semiconductor materials and the formation of high-quality transparent conductive films were demonstrated as the applications of cluster ion irradiation. |
| キーワード(和) | クラスターイオンビーム / 大電流化 / 表面平坦化 / ITO薄膜 |
| キーワード(英) | Cluster Ion Beam / Improvement of Ion Current / Surface Smoothing / ITO Thin Film |
| 資料番号 | SDM2000-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/12/14(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ガスクラスターイオンビームの大電流化及び表面高機能化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement and Applications of Gas Cluster Ion Beam |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | クラスターイオンビーム / Cluster Ion Beam |
| キーワード(2)（和/英） | 大電流化 / Improvement of Ion Current |
| キーワード(3)（和/英） | 表面平坦化 / Surface Smoothing |
| キーワード(4)（和/英） | ITO薄膜 / ITO Thin Film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金原 啓道 / Hiromichi KINPARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 瀬木 利夫 / Toshio SEKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松尾 二郎 / Jiro MATSUO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高岡 義寛 / Gikan TAKAOKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2000/12/14 |
| 資料番号 | SDM2000-167 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 517 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |