エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1994/11/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]
ポーラスSiの電子状態と可視発光 : 第一原理的DV-X_α分子軌道計算

早藤 貴範,  木村 仁史,  今永 俊治,  足立 裕彦,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-140
ポーラスシリコンの酸化による構造安定化とその物性

新垣 修,  古田 啓介,  米田 敏之,  山本 拓郎,  八田 章光,  伊藤 利道,  平木 昭夫,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-141
IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導

井上 翼,  杉本 岳士,  林 真至,  山本 恵一,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-142
レーザ誘起昇温脱離法(LITD)によるプラズマエッチング中の試料表面の評価

大塚 健一,  唐橋 一浩,  松尾 二郎,  中村 守孝 /,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-143
イットリウムシリサイド/シリコン接合の作製と電気的特性

谷田 行庸,  服部 励治,  白藤 純嗣,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-144
イオン注入法を用いた有機SOG膜の改質

水原 秀樹,  渡辺 裕之,  平瀬 征基,  実沢 佳居,  青江 弘行,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-145
PECVD SiOF膜の構造検討

宇佐見 隆志,  下川 公明,  吉丸 正樹,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-146
光CVD法による窒化シリコン膜のシリコンとの界面特性改善と膜中トラップの評価方法

松浦 秀治,  吉本 昌広,  松波 弘之,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-147
光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果

出口 泰,  大西 理雄,  高橋 芳浩,  大西 一功,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-148
分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価

金島 岳,  奥山 雅則,  浜川 圭弘,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-149
TEOS-O_3 APCVD SiO_2の成膜機構検討

吉江 徹,  下川 公明,  吉丸 正樹,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-150
Photo I-V法によるMOS構造SiO_2薄膜中の欠陥の評価

岩崎 慎也,  金島 岳,  奥山 雅則,  浜川 圭弘,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-151
ECR CVD法によるTEOSからのSiO_2膜の形成とMOS界面評価への応用

稲葉 匡俊,  福々 司郎,  能勢 英樹,  中田 和宏,  岡部 敬,  吉門 進三,  谷口 一郎,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-152
リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用

小倉 卓,  岡 徹,  藤森 敬和,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-153
FN注入によるMOSダイオードの劣化とa.c.コンダクタンス測定

井上 真雄,  白藤 純嗣,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-154
MOS構造へのイオン注入に起因する酸化膜ダメージの評価

長沢 秀治,  西田 篤弘,  藤原 英明,  豆野 和延,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-155
ガスクラスターイオンビームを用いた半導体表面処理技術の開発

豊田 紀章,  金子 剛,  吉澤 哲,  秋月 誠,  松尾 二郎,  高岡 義寛,  山田 公,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]SDM94-156
[OTHERS]

,  

[発表日]1994/11/25
[資料番号]