| 講演名 | 1994/11/25 分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価 金島 岳, 奥山 雅則, 浜川 圭弘, |
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| 抄録(和) | 光CVD法により低温でSiO_2膜を作製し、エキシマレーザ励起フォトルミネッセンスを調べた。またフォトルミネッセンスを生ずる欠陥構造を検討するため分子軌道法によりいくつかの構造モデルに対し欠陥のエネルギー状態を求め考察を行った。その結果、光CVDSiO_2膜は2.4、3.5および4.4eVに発光を持ち、雰囲気熱処理依存性より2.4および3.5eVの発光は酸素過剰性の、4.4eVの発光は酸素欠乏性の欠陥が原因であることが示された。さらに分子軌道法を用いて、酸素過剰性欠陥≡Si-O-O-Si≡についてエネルギー計算を行ったところ、Si-SiへO-Oが垂直方向に結合したクラスターが準安定状態を持ち、励起一重項状態の励起エネルギーが2.65eVと測定値2.4eVと比較的近い値を持つことが分かった。 |
| 抄録(英) | Defects in SiO_2 films grown by photo-enhanced CVD at low temperature have been characterized by photoluminescence,and defect structures were studied by theoretical analysis using molecular orbital calculation.The photoluminescence peaks excited by excimer laser have been observed at around 2.4,3.5 and 4.4eV. The annealing effects suggest that the origin of the peaks at 2.4 and 3.5eV are oxygen-excess defects,and 4.4eV is oxygen-vacancy defect.Molecular orbital calculation of the cluster of oxygen- excess defect shows that in coupled Si-Si(oxygen-vacancy defect) with O-O perpendicularly,the transition energy from excited-signet to ground is 2.65eV which is closed to the measured value 2.4eV. |
| キーワード(和) | 光CVD / SiO_2 / フォトルミネッセンス / 分子規道法 / パーオキシ・リンケージ |
| キーワード(英) | photo-enhanced CVD / SiO2 / photoluminescence / molecular orbital calculation / peroxy linkage |
| 資料番号 | SDM94-149 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1994/11/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of defects in SiO2 photo-chemical vapor deposition film by using molecular orbital calculation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光CVD / photo-enhanced CVD |
| キーワード(2)（和/英） | SiO_2 / SiO2 |
| キーワード(3)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | 分子規道法 / molecular orbital calculation |
| キーワード(5)（和/英） | パーオキシ・リンケージ / peroxy linkage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金島 岳 / Takeshi Kanashima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering Science,Faculty of Engineering Science,Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥山 雅則 / Masanori Okuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering Science,Faculty of Engineering Science,Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜川 圭弘 / Yoshihiro Hamakawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering Science,Faculty of Engineering Science,Osaka University |
| 発表年月日 | 1994/11/25 |
| 資料番号 | SDM94-149 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 367 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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