エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1993/04/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
目次

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[発表日]1993/4/22
[資料番号]
オゾン添加超純水を用いたシリコンウエハ表面の有機物除去

安井 信一,  大見 忠弘,  二ツ木 高志,  米川 直道,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-1
界面活性剤添加バッファードフッ酸によるシリコンウエハ表面のマイクロラフネス防止効果

宮本 光雄,  北 直英,  石田 彰一,  立野 稔夫,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-2
イソプロピルアルコールによる除電機構 : ウェットプロセスの静電気発生防止

須藤 誠司,  森永 均,  大見 忠弘,  三島 博之,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-3
HF処理基板表面への低温シリコンエピタキシャル成長とエピタキシャル層/シリコン基板の界面評価

宮内 昭浩,  井上 洋典,  宇佐美 勝久,  鈴木 誉也,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-4
Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程

小野 行徳,  田部 道晴,  影島 博之,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-5
薄い酸化膜質のSiウェハ面方位依存性 : 酸化膜の電気的信頼性及び酸化膜構造に与えるウェハ面方位の依存性

中村 亘,  松本 光市,  牧原 康二,  山本 和馬,  高野 順,  大見 忠弘,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-6
FT-IR-ATR,FT-IR-RASを用いたSi自然酸化膜成長過程の観察

藤村 修三,  小川 洋輝,  石川 健治,  猪股 カルロス,  森 治久,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SMD93-7
正孔捕獲断面析のLognormalな分布

,  谷口 研二,  浜口 智尋,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-8
CVD酸化膜の吸湿過程と水の脱離機構

時藤 俊一,  内田 英次,  平下 紀夫,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-9
放射光照射による高融点金属酸化物の改質

永瀬 雅夫,  赤沢 方省,  内海 裕一,  

[発表日]1993/4/22
[資料番号]SDM93-10
[OTHERS]

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[発表日]1993/4/22
[資料番号]