エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2012/11/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]
表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

梁 剣波,  重川 直輝,  目暮 栄治,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-65,CPM2012-122,LQE2012-93
層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

小林 康之,  熊倉 一英,  赤坂 哲也,  山本 秀樹,  牧本 俊樹,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-66,CPM2012-123,LQE2012-94
III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

角谷 正友,  /,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-67,CPM2012-124,LQE2012-95
GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

杉浦 洋平,  網谷 良介,  多次見 大樹,  尾沼 猛儀,  山口 智広,  本田 徹,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-68,CPM2012-125,LQE2012-96
大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

徳永 裕樹,  生方 映徳,  矢野 良樹,  山岡 優哉,  山口 晃,  田渕 俊也,  松本 功,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-69,CPM2012-126,LQE2012-97
GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

渡邉 則之,  横山 春喜,  重川 直輝,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-70,CPM2012-127,LQE2012-98
単結晶β-Ga_2O_3基板を用いたPt/β-Ga_2O_3ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

佐々木 公平,  東脇 正高,  倉又 朗人,  増井 建和,  山腰 茂伸,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-71,CPM2012-128,LQE2012-99
Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

常家 卓也,  分島 彰男,  江川 孝志,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-72,CPM2012-129,LQE2012-100
GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

岩田 康宏,  久保 俊晴,  江川 孝志,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-73,CPM2012-130,LQE2012-101
プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

堀 祐臣,  谷田部 然治,  馬 万程,  橋詰 保,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-74,CPM2012-131,LQE2012-102
原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

尾崎 史朗,  多木 俊裕,  金村 雅仁,  今田 忠紘,  中村 哲一,  岡本 直哉,  宮島 豊生,  吉川 俊英,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-75,CPM2012-132,LQE2012-103
Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs

,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-76,CPM2012-133,LQE2012-104
非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

神野 大樹,  岡田 俊祐,  三宅 秀人,  平松 和政,  江夏 悠貴,  長尾 哲,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-77,CPM2012-134,LQE2012-105
DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

荒木 努,  上松 尚,  阪口 順一,  王 科,  山口 智広,  / 名西 [ヤス]之,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-78,CPM2012-135,LQE2012-106
ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

森田 隆敏,  加賀 充,  桑野 侑香,  松井 健城,  竹内 哲也,  上山 智,  岩谷 素顕,  赤崎 勇,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-79,CPM2012-136,LQE2012-107
Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

大谷 龍輝,  関口 寛人,  高木 康文,  岡田 浩,  若原 昭浩,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-80,CPM2012-137,LQE2012-108
Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates

,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-81,CPM2ai 2-13 8,LQE2012-109
サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

土屋 貴義,  梅田 慎也,  曽和 美保子,  近藤 俊行,  北野 司,  森 みどり,  鈴木 敦志,  難波江 宏一,  関根 均,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-82,CPM2012-139,LQE2012-110
12>> 1-20hit(34hit)