| 講演名 | 2012-11-30 ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 森田 隆敏, 加賀 充, 桑野 侑香, 松井 健城, 竹内 哲也, 上山 智, 岩谷 素顕, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改善するために、従来のpn構造を逆に積層したnp構造LEDの実現を目指している。本報告では、このnp構造ではキャリアオーバーフローが抑制される様子を理論計算により示した。続いて、トンネル接合を利用したnp構造を試作した。その結果、全面発光するLEDが実現できた。一方で、従来のpn構造に比べ、駆動電圧増加および光出力低下が確認された。これは、トンネル接合での不十分なMg濃度と、活性層での不必要なMg混入が原因であり、さらなる改善によりドループ現象の抑制が期待される。 |
| 抄録(英) | A decrease of external quantum efficiency with an increase of injection current in nitride semiconductor LEDs, a so-called efficiency droop, has been an issue. We have been developing an np-junction LED consisting of a reversed layer structure of a conventional pn-junction LED in order to reduce the droop. In this report, our theoretical calculation indicated that carrier overflow was suppressed in the np-junction LEDs. In addition, the np-junction LED was designed and fabricated with a tunnel junction. We then achieved uniform emission from the np-junction LED. At the same time, an increase of driving voltage and a decrease of light output power were observed compared to those of the conventional pn-junction LED. An insufficient Mg concentration at the tunnel junction and an unintentional Mg incorporation at the active region are the reasons for poor device performances. A suppression of the droop will be expected by further improvement of the np-junction LEDs. |
| キーワード(和) | np接合LED / ドループ現象 / トンネル接合 / 内蔵電界 / Mg濃度 / GaN |
| キーワード(英) | np-junction LED / efficiency droop / tunnel junction / built-in electric field / Mg concentration / GaN |
| 資料番号 | ED2012-79,CPM2012-136,LQE2012-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nitride semiconductor np-LEDs for improvement of efficiency droop |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | np接合LED / np-junction LED |
| キーワード(2)（和/英） | ドループ現象 / efficiency droop |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル接合 / tunnel junction |
| キーワード(4)（和/英） | 内蔵電界 / built-in electric field |
| キーワード(5)（和/英） | Mg濃度 / Mg concentration |
| キーワード(6)（和/英） | GaN / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森田 隆敏 / Takatoshi MORITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加賀 充 / Mitsuru KAGA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 桑野 侑香 / Yuka KUWANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松井 健城 / Kenjo MATSUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部:名古屋大学赤崎記念研究センター Fac. Sci. & Eng., Meijo University:Grad. Sch. of Eng., Nagoya University |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-79,CPM2012-136,LQE2012-107 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 329 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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