| 講演名 | 2012-11-29 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 梁 剣波, 重川 直輝, 目暮 栄治, |
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| 抄録(和) | 表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて作製したn-Si/n-Si接合,n-Si/n-GaNヘテロ接合、p-Si/n-GaAsヘテロ接合の電気特性を評価した。n-Si/n-Si接合とn-Si/n-GaN接合の電流電圧(I-V)特性は、室温においてオーミック特性を示した。ダイシングによって作製した複数個のn-Si/n-Si接合チップのI-V特性はほぼ一致した。温度依存性測定後のn-Si/n-GaN接合には破損等は認められなかった。p-Si/n-GaAs接合は良好な整流特性を示した。容量-電圧特性から求めたp-Si/n-GaAs接合のフラットバンド電圧は1.6V程度で、界面に電荷が存在しない状態でのp-Si/n-GaAsヘテロ接合の拡散電位とほぼ一致した。これらの結果は、SAB法は新たな機能デバイスを作製する手段として有望であることを示す。 |
| 抄録(英) | The electrical properties of Si/Si, Si/GaN and Si/GaAs junctions fabricated by using surface-activated bonding (SAB) were investigated. Current-voltage (I-V) characteristics of n-Si/n-Si and n-Si/n-GaN junctions indicated ohmic features at room temperature. The I-V characteristics of respective n-Si/n-Si dice were close to one another. No mechanical deficits were observed in n-Si/n-GaN junctions after measurements in varied temperatures. The p-Si/n-GaAs junctions revealed good rectifying properties. Their flat-band voltage was around 1.6 V which is close to the diffusion potential calculated for p-Si/n-GaAs heterojunctions with no electric charges placed at the interface. These results indicate that the SAB is potentially applicable for fabricating novel devices. |
| キーワード(和) | 表面活性化ボンディング / 電流電圧特性 / トラップアシストトンネル / ヘテロ接合 / GaN / GaAs / ハイブリッドタンデム太陽電池 |
| キーワード(英) | Surface-activated bonding / current-voltage characteristics / trap-assisted tunneling / heterojunctions / GaN / GaAs / hybrid tandem solar cell |
| 資料番号 | ED2012-65,CPM2012-122,LQE2012-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Si-Based Heterojunctions by Surface-Activated Bonding |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面活性化ボンディング / Surface-activated bonding |
| キーワード(2)（和/英） | 電流電圧特性 / current-voltage characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | トラップアシストトンネル / trap-assisted tunneling |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunctions |
| キーワード(5)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(6)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(7)（和/英） | ハイブリッドタンデム太陽電池 / hybrid tandem solar cell |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梁 剣波 / Jianbo LIANG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 目暮 栄治 / Eiji HIGURASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター RCAST, Univ. of Tokyo |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-65,CPM2012-122,LQE2012-93 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 329 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |