エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日：2001/06/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/6/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/6/8
[資料番号]
有機ポリシロキサンターゲットを用いたPLD-SiO_2薄膜の酸素ガス圧依存性

倉松 雅章,  大越 昌幸,  井上 成美,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-16
スペクトル干渉による増幅パルスのキャリアエンベロープ位相変化のシングルショット計測

藤平 好彦,  欠端 雅之,  高田 英行,  小林 洋平,  鳥塚 健二,  本間 哲哉,  高橋 英郎,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-17
石英ガラスのKrFレーザー照射損傷の初期過程

川口 喜三,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-18
高濃度NdドープYAG結晶

浦田 佳治,  和田 智之,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-19
Nd:YAGセラミックスレーザーの開発

上松 知宏,  村井 朋代,  高市 和則,  三澤 啓一,  虜 建仁,  八木 秀喜,  柳谷 高公,  植田 憲一,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-20
P添加ファイバを使ったラマン増幅器用光源の開発と超広帯域白色光の発生

谷口 篤,  プラブ マヘンドラ,  金 南成,  白川 晃,  植田 憲一,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-21
フェムト秒パルス波形整形器を用いた非線形ファイバ光子数スクイージングおよび量子相関の最適化制御

藤島 大輔,  武岡 正裕,  神成 文彦,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-22
MOMBE成長したInGaAsP膜の組成変調構造におよぼす成長速度の影響

小笠原 松幸,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-23
自己組織化InAs量子ドット中の電子状態と光イオン化過程

藤本 真一,  李 承雄,  広谷 仁寿,  / 平川一彦,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-24
窒化物半導体量子ドットの形成とレーザーへの応用 (<小特集>窒化物・青色光半導体)

橘 浩一,  染谷 隆夫,  荒川 泰彦,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-25
EuドープGaNの成長と光学特性 (<小特集>窒化物・青色光半導体)

,  森島 進一,  秋本 克洋,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-26
GaNP SQWを用いた青色LED (<小特集>窒化物・青色光半導体)

吉田 清輝,  伊東 義曜,  城川 潤二郎,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-27
GaN系面発光レーザ用GaN/Al_<0.6>Ga_<0.4>N多層膜反射鏡の作製 (<小特集>窒化物・青色光半導体)

中田 尚幸,  石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-28
選択成長を用いたn-GaN基板上InGaN MQWリッジ型LDの作製 (<小特集>窒化物・青色光半導体)

倉本 大,  木村 明隆,  笹岡 千秋,  荒木田 孝博,  仁道 正明,  水田 正志,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-29
AIGaInN系高出力半導体レーザ (<小特集>窒化物・青色光半導体)

竹谷 元伸,  東條 剛,  浅野 竹春,  日野 智公,  喜嶋 悟,  後藤 修,  内田 史朗,  池田 昌夫,  

[発表日]2001/6/8
[資料番号]LQE2001-30
[OTHERS]

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[発表日]2001/6/8
[資料番号]