| 講演名 | 2001/6/8 AIGaInN系高出力半導体レーザ (<小特集>窒化物・青色光半導体) 竹谷 元伸, 東條 剛, 浅野 竹春, 日野 智公, 喜嶋 悟, 後藤 修, 内田 史朗, 池田 昌夫, |
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| 抄録(和) | サファイア基板上に膜厚5μm以下の薄いELO-GaNを成長させ、その上にレーザ構造を作製した。活性層とp型AlGaN層の間にInGaN中間層を導入する構造を採用することで閾値電流を低減させ、スロープ効率を向上させることができた。また、キンクレベルを高めるためにリッジ脇の絶縁層に吸収層を付加した新規リッジ導波型レーザ構造を提案した。本構造の採用および、ストライプ幅最適化により80℃という高温連続動作時において100mWまでキンクフリーのレーザ特性を実現した。また、本構造のレーザの寿命特性は60℃、30mW条件下でMTTFで6000時間を実現している。 |
| 抄録(英) | AlGaInN-based high power lasers with a kinklevel over 100 mW at 80℃ CW operation have been successfully fabricated on the ELO-GaN layer. A high kink level was obtained by introducing a new laser structure that could suppress the generation of first-Order transverse mode and by narrowing the ridge stripe width. Besides, the threshold current and slope efficiency were improved by introducing a GaInN inter-layer between a multiple-quantum well active layer and an AlGaN layer. The threshold current density was ～3.5kA/cm^2 and the Slope efficiency was 1.2W/A. The mean time to failure (MTTF) of these laser diodes under 30 mW-CW operation at 60 ℃ was over 6000h. |
| キーワード(和) | GaInN中間層 / 新規リッジ導波型レーザ構造 / キンクレベル / AlGaN層 |
| キーワード(英) | GaInN inter-1ayer / new ridge waveguide laser structure / kink level / AlGaN laer |
| 資料番号 | LQE2001-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2001/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AIGaInN系高出力半導体レーザ (<小特集>窒化物・青色光半導体) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AIGaInN-based high power lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInN中間層 / GaInN inter-1ayer |
| キーワード(2)（和/英） | 新規リッジ導波型レーザ構造 / new ridge waveguide laser structure |
| キーワード(3)（和/英） | キンクレベル / kink level |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN層 / AlGaN laer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹谷 元伸 / Motonobu Takeya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター Development Cemter, Sony Shiroishi Semicondactor Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 東條 剛 / Tsuyoshi Tojyo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター Development Cemter, Sony Shiroishi Semicondactor Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 竹春 / Takeharu Asano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター Development Cemter, Sony Shiroishi Semicondactor Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 日野 智公 / Tomonori Hino |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター Development Cemter, Sony Shiroishi Semicondactor Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 喜嶋 悟 / Satoru Kijima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター Development Cemter, Sony Shiroishi Semicondactor Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 後藤 修 / Shu Goto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター Development Cemter, Sony Shiroishi Semicondactor Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 内田 史朗 / Shirou Uchida |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター Development Cemter, Sony Shiroishi Semicondactor Inc. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 池田 昌夫 / Masao Ikeda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター Development Cemter, Sony Shiroishi Semicondactor Inc. |
| 発表年月日 | 2001/6/8 |
| 資料番号 | LQE2001-30 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 113 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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