| 講演名 | 2001/6/8 GaN系面発光レーザ用GaN/Al_<0.6>Ga_<0.4>N多層膜反射鏡の作製 (<小特集>窒化物・青色光半導体) 中田 尚幸, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | サファイア基板上GaN/AlGaN DBRをMOCVD法により減圧条件下で作製した。DBRに用いたAIGaNのAI組成はX線回折により見積もったところ0.6であった。DBRの形成前に挿入するGaN層の膜厚を最適化することにより、クランクのないDBRの作製に成功し、45.5周期のDBRにおいて98%以上の高反射率が得られた。また、作製したDBRは反射率特性におけるピーク波長の面内分布が小さく、均一性の高い反射鏡であった。作製したDBRにはクランクが無く、平坦性に優れた反射鏡であることから、GaN系面発光レーザの実現に有効であると考えられる。 |
| 抄録(英) | GaN/AlGaN distributed Bragg reflectors (DBR) were grown under the low-pressure condition by MOCVD. Those structures were fabricated on the atmospheric pressure grown GaN layer on sapphire substrate. The Al content of AIGaN was estimated O.6 by X-ray dirfraction. The flat surfaces without cracks were succcssfully obtained for the growth of GaN/Al_<0.6>Ga_<0.4>N DBR. For 45.5 pairs, the peak reflectivity of over 98 % was obtained at a wavelength of 421 nm. |
| キーワード(和) | GaN / AIGaN / MOCVD / 減圧MOCVD / DBR / 面発光レーザ |
| キーワード(英) | GaN / AIGaN / MOCVD / LP-MOCVD / DBR / VCSEL |
| 資料番号 | LQE2001-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2001/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系面発光レーザ用GaN/Al_<0.6>Ga_<0.4>N多層膜反射鏡の作製 (<小特集>窒化物・青色光半導体) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High reflective GaN/Al_<0.6>Ga_<0.4>N distributed Bragg reflector for VCSEL |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AIGaN / AIGaN |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | 減圧MOCVD / LP-MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | DBR / DBR |
| キーワード(6)（和/英） | 面発光レーザ / VCSEL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中田 尚幸 / Naoyuki Nakada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices,Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices,Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi Jimbo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学都市循環システム工学専攻 Department of Environmental Technology and Urban Planning,Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / Masayoshi Umeno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 中部大学工学部電子工学科 Department of Electronics Engineering, Chubu University |
| 発表年月日 | 2001/6/8 |
| 資料番号 | LQE2001-28 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 113 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |