エレクトロニクス-集積回路(開催日:2005/04/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/4/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/4/8
[資料番号]
低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)

辻 高晴,  谷崎 弘晃,  石川 正敏,  大谷 順,  山口 雄一郎,  上野 修一,  大石 司,  日高 秀人,  

[発表日]2005/4/8
[資料番号]ICD2005-13
高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)

三木 隆,  平野 博茂,  坂上 雅彦,  中熊 哲治,  山岡 邦吏,  岩成 俊一,  村久木 康夫,  五寶 靖,  藤井 英治,  

[発表日]2005/4/8
[資料番号]ICD2005-14
高速大容量混載DRAM Pre-Fuse Wafer-LevelテストのためのBurst-Cycle Data圧縮方式(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)

福田 良,  小林 謙二,  赤松 正志,  開発 実,  田村 淳,  谷口 一雄,  渡辺 陽二,  

[発表日]2005/4/8
[資料番号]ICD2005-15
1.5nsアクセス時間0.25μm CMOS/SIMOX SRAMマクロセル : デュアルワード線による高速化と低電力化(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)

柴田 信太郎,  石原 隆子,  栗田 茂弘,  沖山 秀臣,  

[発表日]2005/4/8
[資料番号]ICD2005-16
バンク型多ポートメモリによる並列プロセッサ用キャッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)

上口 光,  朱 兆旻,  平川 泰,  マタウシュ ハンス ユルゲン,  小出 哲士,  弘中 哲夫,  谷川 一哉,  

[発表日]2005/4/8
[資料番号]ICD2005-17
電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)

長田 健一,  北井 直樹,  蒲原 史朗,  河原 尊之,  

[発表日]2005/4/8
[資料番号]ICD2005-18
中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)

上村 大樹,  戸坂 義春,  芦澤 芳夫,  岡 秀樹,  佐藤 成生,  

[発表日]2005/4/8
[資料番号]ICD2005-19
複写される方へ

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[発表日]2005/4/8
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/4/8
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/4/8
[資料番号]