講演名 | 2005-04-15 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般) 長田 健一, 北井 直樹, 蒲原 史朗, 河原 尊之, |
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抄録(和) | α線や中性子線によって生じるSRAMセルのソフトエラーについて解析した. SRAMのクロスカップルインバータの帰還作用をデバイス回路融合シミュレータを用いて正確にモデル化し, 寄生バイポーラモードによるフェイルメカニズムを解析した. また, 従来の電荷収集モードによるメモリセルのフェイルについても解析し, 両モードでメモリセルがフェイルするために必要な臨海電荷量(Q_ |
抄録(英) | This paper describes an investigation of the upsetting of values in cells hit by alpha particles or neutrons, in which the feedback operation of the cross-coupled inverter in SRAM is accurately modeled through simultaneous device and circuit simulation. We demonstrate, for the first time, the existence and mechanism of a new parasitic-bipolar-failure (PBF) mode. Accurate values of critical charge (Q_ |
キーワード(和) | ソフトエラー / 中性子 / デバイス回路融合シミュレータ |
キーワード(英) | Soft error / Neutron / Circuit-device simulation |
資料番号 | ICD2005-18 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2005/4/8(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Analysis of SRAM Neutron-Induced Errors Based on the Consideration of Both Charge-Collection and Parasitic-Bipolar Failure Modes |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ソフトエラー / Soft error |
キーワード(2)(和/英) | 中性子 / Neutron |
キーワード(3)(和/英) | デバイス回路融合シミュレータ / Circuit-device simulation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 長田 健一 / Kenichi OSADA |
第 1 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 北井 直樹 / Naoki KITAI |
第 2 著者 所属(和/英) | 株式会社日立超LSIシステムズ Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 蒲原 史朗 / Shiro KAMOHARA |
第 3 著者 所属(和/英) | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 河原 尊之 / Takayuki KAWAHARA |
第 4 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
発表年月日 | 2005-04-15 |
資料番号 | ICD2005-18 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 2 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |