エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2003/06/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/6/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/6/7
[資料番号]
InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

田窪 千咲紀,  望月 和浩,  田中 健一,  内山 博幸,  谷口 隆文,  塩田 貴支,  

[発表日]2003/6/7
[資料番号]ED2003-58
i線露光とイオン注入を用いた0.18μm高速GaAs-MESFET作製プロセス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

渡邉 昌崇,  福士 大地,  中島 成,  

[発表日]2003/6/7
[資料番号]ED2003-59
i線露光による0.1μmゲート長InP HEMTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

澤田 憲,  牧山 剛三,  高橋 剛,  野崎 耕司,  五十嵐 美和,  今 純一,  原 直紀,  

[発表日]2003/6/7
[資料番号]ED2003-60
酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

笠原 健資,  山之口 勝己,  村瀬 康裕,  松永 高治,  

[発表日]2003/6/7
[資料番号]ED2003-61
0.1ミクロン幅エミッタを有するInP/GaInAs系Buried Metal-HBTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

横山 啓吾,  松田 耕治,  野中 俊宏,  竹内 克彦,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]2003/6/7
[資料番号]ED2003-62
奥付

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[発表日]2003/6/7
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/6/7
[資料番号]