| 講演名 | 2003/6/7 酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術) 笠原 健資, 山之口 勝己, 村瀬 康裕, 松永 高治, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 5インチウェハーで酸化膜埋め込みゲートプロセスを用いて、準ミリ波帯高出力GaAsFETを開発した。本プロセスは、高歩留まり、高均一性、再現性と高デバイス性能を両立させたデバイスプロセスである。Lg=0.2μmの素子において、5インチ面内でVtが3σ/Averageで6%と高い均一性を示し、単体特性としてImax=540mA/mm、gm=430mS/mm、MSG=13dB@30GHzを得た。さらに、20GHz帯においてゲート幅0.45mm素子で、出力密度0.73W/mm、電力付加効率54%の良好な出力特性が得られた。 |
| 抄録(英) | Quasi-millimeter-wave high power FET with embedded O.2μm gates in SiO_2 was developed using 5 inch wafer. This process exhibited high yield, high-uniformity, high reproducibility and high device performances. Vt uniformity of 3σ/Average 6% in 5inch wafers is obtained for 0.2μm gate FETs. The FET characteristics are Imax of 540mA/mm, gm of 430mS/mm, MSG of 13dB@30GHz. The FET with gate width Wg=0.45mm showed power density of 0.73W/mm, PAE of 54% at 20GHz. |
| キーワード(和) | GaAs / FET / 高出力素子 |
| キーワード(英) | GaAs / FET / Power Devices |
| 資料番号 | ED2003-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/6/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quasi-millimeter-wave high power FET with embedded 0.2μm gates in SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力素子 / Power Devices |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 笠原 健資 / Kensuke KASAHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 NEC Photonic and Wireless Devices Research Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山之口 勝己 / Katsumi YAMANOGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 NEC Photonic and Wireless Devices Research Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村瀬 康裕 / Yasuhiro MURASE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 NEC Photonic and Wireless Devices Research Labs. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松永 高治 / Kouji MATSUNAGA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・無線デバイス研究所 NEC Photonic and Wireless Devices Research Labs. |
| 発表年月日 | 2003/6/7 |
| 資料番号 | ED2003-61 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 118 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |