| 講演名 | 2003/6/7 0.1ミクロン幅エミッタを有するInP/GaInAs系Buried Metal-HBTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術) 横山 啓吾, 松田 耕治, 野中 俊宏, 竹内 克彦, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | 0.1μm幅のタングステン細線コレクタを有するInP/GaInAs系ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ(HBT)において、従来、タングステン細線を1本のみ埋め込んだHBTが動作しなかった。この原因は、埋め込むタングステン細線の本数とその上にMOVPEにより成長されるInPの層厚の関係に気付かず、タングステン細線を埋め込む為の成長が不十分だった為であることを見出した。また、エミッタメサ形成時の側壁が同じウエハ内で再現性良く作製出来なかったことも原因と考えられる。今回、1本のタングステン細線を埋め込む為に必要な成長時間を取り、エミッタの為のエッチャントを変える事で、1本のみタングステン細線を埋め込んだHBTの動作に成功し電流利得20を得ることに成功した。エミッタ面積は0.1×0.5μm^2でありこれは、世界最小と考えられる。 |
| 抄録(英) | When GaInAs/InP heterojunction bipolar transistors (HBTs) with 0.1-μm-wide tungsten wires as collector were fabricated, we could not obtain the device operation when the number of the wire was single. The failure was due to insufficient buried growth because we did not pay attention to dependence of overgrown InP thickness on the number of wires. Poor reproducibility of wet etching for InP emitter mesa introduced the failure, also. By increase of the growth time adequate for a single wire and change of wet etching solution, the HBT with a single tungsten wire was fabricated. We observed transistor operation with current gain of 20 in the HBTs. The emitter area of the device was 0.1×0.5 μm^2. To our knowledge, this is smallest emitter are in a HBT. |
| キーワード(和) | GaInAs / InP / ベースコレクタ間容量 / HBT / MOVPE / 埋め込み成長 / ウエットエッチング |
| キーワード(英) | GaInAs / InP / base-collector capacitance / HBT / MOVPE / overgrowth / wet etching |
| 資料番号 | ED2003-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/6/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 0.1ミクロン幅エミッタを有するInP/GaInAs系Buried Metal-HBTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal heterojunction bipolar transistors with a 0.1-μm-wide emitter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInAs / GaInAs |
| キーワード(2)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(3)（和/英） | ベースコレクタ間容量 / base-collector capacitance |
| キーワード(4)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | 埋め込み成長 / overgrowth |
| キーワード(7)（和/英） | ウエットエッチング / wet etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横山 啓吾 / Keigo YOKOYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松田 耕治 / Koji MATSUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野中 俊宏 / Toshiro NONAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 克彦 / Katuhiko TAKEUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興事業団 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology:CREST, Japan Science and Technology Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / Kazuhito FURUYA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興事業団:量子効果エレクトロニクス研究センター Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology:CREST, Japan Science and Technology Corporation:Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/6/7 |
| 資料番号 | ED2003-62 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 118 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |