エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2002/06/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
COVER

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]
CONTENTS

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]
Analysis of characteristics of PHEMT's fabricated by gate recess methods

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-157
移動体通信端末用GaAs PHEMT/HBT高出力増幅器

森 一富,  新庄 真太郎,  

[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-158
40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術

栗島 賢二,  井田 実,  渡邉 則之,  石井 清,  野坂 秀之,  山幡 章司,  

[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-159
GaNと関連材料の表面の性質とその制御

長谷川 英機,  橋詰 保,  

[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-160
チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器

西嶋 将明,  尹 榮,  勝野 元成,  石田 秀俊,  皆川 克也,  信定 俊英,  田中 毅,  

[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-161
S-Band 38dBm Power Amplifier Using PHEMT and FR4 Substrate

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-162
K-band p-HEMT-based MMIC VCO using a miniaturized hairpin resonator and a three-terminal p-HEMT varactor with low phase noise and high output power properties

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-163
Studies of electron beam evaporated SiO_2/AlGaN/GaN-metal-oxide-semiconductor HEMTs on sapphire substrate

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-164
Analytic Model for the Gate Current of MODFET's with and without Photonic Control

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-165
AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果

広瀬 真由美,  津田 邦男,  

[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-166
Low Frequency Excess Noise Modeling in Semiconductor Heterostructure Devices

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-167
(100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果

ポール ナラヤン・チャンドラ,  手塚 大介,  猪熊 孝夫,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-168
Electrical properties and thermally stability of Au/W/Ti ohmic contacts to (NH_4)_2S treated n-GaAs

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-169
Measurement of Cross-Sectional Potential of Compound Semiconductor Heterostructures in Vacuum Condition by Kelvin Probe Force Microscopy

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-170
GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性

若原 昭浩,  中西 康夫,  本川 和之,  岡田 浩,  吉田 明,  大島 武,  伊藤 久義,  

[発表日]2002/6/25
[資料番号]ED2002-171
奥付

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[発表日]2002/6/25
[資料番号]