| 講演名 | 2002/6/25 (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果 ポール ナラヤン・チャンドラ, 手塚 大介, 猪熊 孝夫, 飯山 宏一, 高宮 三郎, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaAs表面のUV & オゾンによる酸化、窒素プラズマによる窒化、これらの組み合わせによる酸窒化の効果をTEM,XPS,ホトルミネッセンス、電気特性の観点から調べた。裸のGaAs表面をプラズマ窒化すると表面の特性は劣化する。GaAsの酸化では形成される酸化膜中にAsが残るが、これを窒化するとAsが抜けて窒素が侵入し、より良い緻密な膜になる。電気特性、ホトルミネッセンス共に、酸窒化は遥かに良好な結果を示している。また、酸化によるダメージも続けて行われる窒化によって回復する結果が得られた。 |
| 抄録(英) | Oxidized and non-oxidized GaAs (100) wafers were treated in N_2 plasma for different time. Effects of N_2 plasma upon those wafers are investigated from different view points such as XPS analysis, photoluminescence, TEM and electrical characteristics (I-V and C-V characteristic). From the electrical characteristic, it implies that reverse bias current (leakage current) decrease and surface state density is low in nitridated-oxidized wafers. Barrier height also improves in nitridated-oxidized wafers. Nitridation upon bare surface creates a very high roughness interface layer. Nitridation upon the oxidized wafer (MIS diode) creates the very firm amorphous insulating layer and the very sharp and flat amorphous/GaAs interface. Nitridation effect upon bare GaAs wafers has undesirable influence and that of oxidized wafers has good influence. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Nitrogen plasma / Schottky diode / MIS diode / Barrier height / Surface state |
| 資料番号 | ED2002-168 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/6/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of oxidation and/or Nitridation of (100) n-GaAs Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Nitrogen plasma |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ポール ナラヤン・チャンドラ / N. C. Paul |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 手塚 大介 / D. Tezuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 猪熊 孝夫 / T. Inokuma |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 飯山 宏一 / K. Iiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高宮 三郎 / S. Takamiya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 発表年月日 | 2002/6/25 |
| 資料番号 | ED2002-168 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 176 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |