エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2000/12/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/12/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/12/7
[資料番号]
カーボンナノチューブのディスプレイデバイスへの応用

上村 佐四郎,  余谷 純子,  長廻 武志,  斎藤 弥八,  湯村 守雄,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-194
弾道電子面放出型電子源の特性とフラットパネルへの応用

菰田 卓哉,  櫟原 勉,  本多 由明,  近藤 行廣,  越田 信義,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-195
Siフィールドエミッタの表面改質による真空封止処理耐性の向上

長尾 昌善,  田辺 尚雄,  松川 貴,  金丸 正剛,  伊藤 順司,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-196
ZnS薄膜の電子線侵入深さの実験的解析

小南 裕子,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-197
絶縁体でバインドされたパラジウム微粒子膜からの電界電子放出

馬場 昭好,  浅野 種正,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-198
シリコンナノ突起からの電界電子放出

澤田 和明,  田部 道晴,  石川 晴彦,  岩月 誠,  石田 誠,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-199
アトムプローブによる電子材料の原子レベルの解析と3次元走査型アトムプローブの開発

西川 治,  渡邉 將史,  田中 敬司,  柳生 貴也,  山本 滋,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-200
カーボンナノチューブからの電界電子放出

澤田 明宏,  趙 維江,  落合 周子,  高井 幹夫,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-201
配向性垂直成長カーボンナノチューブからの電界放出の計算機シミュレーション(1) : 計算手法と計算モデル

村田 英一,  大江 俊美,  下山 宏,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-202
配向性垂直成長カーボンナノチューブからの電界放出の計算機シミュレーション(2) : ナノチューブ先端の電界強度計算

下山 宏,  村田 英一,  大江 俊美,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-203
カーボンナノチューブの選択成長とデバイスへの応用

宮下 英俊,  小野 崇人,  江刺 正喜,  

[発表日]2000/12/7
[資料番号]ED2000-204
[OTHERS]

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[発表日]2000/12/7
[資料番号]