講演名 2000/12/7
絶縁体でバインドされたパラジウム微粒子膜からの電界電子放出
馬場 昭好, 浅野 種正,
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抄録(和) 新しい電子源材料として絶縁体にバインドされた金属微粒子膜を提案する。パラジウム(Pd)微粒子膜作製法と電界電子放出について述べる。Pd微粒子膜はPd微粒子を塗布型ガラス(SOG)に混入させた後、スピンコート法およびスキージング法を用いシリコン基板上に作製した。スキージング法での製膜はスピンコート法のものに比べ膜内部の空洞が少なく、表面の平らな膜が作製できることがわかった。Pd微粒子膜からの電界電子放出のしきい電圧はμAオーダーの電子放出電流を流すことによるエージング効果で急激に低下した。エージング後しきい電圧の変動は見られず、放出電流の変動率は10%以内であることを確認した。Pd微粒子の埋め込みによりパターニングされた電子源をスキージング法を用いて作製し、二極測定において700VでμAオーダーの放出電流を確認した。
抄録(英) We propose a metal fine-particle film as a novel material for use in field electron emitter and demonstrate field emission of electrons from the film. Palladium(Pd) fine-particle films were prepared on silicon substrate using either spin-coat method or squeezing method after mixing Pd particles and spin-on-glass(SOG). It was found that the threshold voltage for electron emission was drastically decreased after aging induced by field-emission current flow of the order of μA. After the aging, emission current fluctuation was as low as less than 10%. We also demonstrate the patterning of the Pd particle films using the squeezing method by embedding the particles in holes opened at the silicon surface. Field emission current of the order of μA was obtained from the patterned sample at 700 V.
キーワード(和) Pd微粒子 / エージング効果 / スキージング / 微小電子源 / 電子源アレイ
キーワード(英) field emitter / field emitter array / Pd fine-particle / aging effect / squeezing method
資料番号 ED2000-198
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2000/12/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 絶縁体でバインドされたパラジウム微粒子膜からの電界電子放出
サブタイトル(和)
タイトル(英) Field Emission from a Film Made of Palladium Particle Bound with Insulating Material
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Pd微粒子 / field emitter
キーワード(2)(和/英) エージング効果 / field emitter array
キーワード(3)(和/英) スキージング / Pd fine-particle
キーワード(4)(和/英) 微小電子源 / aging effect
キーワード(5)(和/英) 電子源アレイ / squeezing method
第 1 著者 氏名(和/英) 馬場 昭好 / Akiyoshi Baba
第 1 著者 所属(和/英) 九州工業大学マイクロ化総合技術センター
Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 浅野 種正 / Tanemasa Asano
第 2 著者 所属(和/英) 九州工業大学マイクロ化総合技術センター
Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology
発表年月日 2000/12/7
資料番号 ED2000-198
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 505
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日