| 講演名 | 2000/12/7 弾道電子面放出型電子源の特性とフラットパネルへの応用 菰田 卓哉, 櫟原 勉, 本多 由明, 近藤 行廣, 越田 信義, |
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| 抄録(和) | 低消費電力の自発光フラットパネルディスプレイ実現を目指して、多孔質Siを用いた新しい原理の電界放出型電子源を提案してきた。本稿では、この電界放出型電子源のエミッション特性と放出電子のエネルギー分布に着目し、その電子放出メカニズムを考察し、それが擬似弾道的な電子放出現象であることを示した。更に、構造検討により弾道電子放出の高効率化を実現した。また、プロセスの低温化によって、大面積ディスプレイの実現に必須の、ガラス基板へのマトリックス電子源を試作しその可能性を示した。 |
| 抄録(英) | Electron emission properties of a porous silicon(PS) and a porous polysilicon(PPS) cold cathode are measured. It is shown that electrons are quasi-ballisticaly emitted from PS and PPS cold cathode. Ballistic electron increased by optimizing the structure of cold cathode in order to reduce electron scattering in PS or PPS layer. It is also shown that a glass substrate matrix cold cathode is fabricated by lowering process temperature. It is assumed that electrons are emitted perpendicular to the cold cathode face same as the previously reported PPS cold cathode. These results strongly indicate that the ballistic electron surface-emitting cold cathode can be applied to a large panel flat panel display. |
| キーワード(和) | FED / 電子源 / 弾道電子放出 / ナノクリスタル / 多結晶Si |
| キーワード(英) | FED / cold cathode / ballistic electron emission / nanocrystalline Si / poly-Si |
| 資料番号 | ED2000-195 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/12/7(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 弾道電子面放出型電子源の特性とフラットパネルへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of ballistic electron surface-emitting cold cathode and its application to flat panel display |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FED / FED |
| キーワード(2)（和/英） | 電子源 / cold cathode |
| キーワード(3)（和/英） | 弾道電子放出 / ballistic electron emission |
| キーワード(4)（和/英） | ナノクリスタル / nanocrystalline Si |
| キーワード(5)（和/英） | 多結晶Si / poly-Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菰田 卓哉 / Takuya Komoda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電工株式会社ウェル・ラボ Advanced Technology Research Laboratory, Matsushita Electric Works, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 櫟原 勉 / Tsutomu Ichihara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電工株式会社ウェル・ラボ Advanced Technology Research Laboratory, Matsushita Electric Works, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本多 由明 / Yoshiaki Honda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電工株式会社ウェル・ラボ Advanced Technology Research Laboratory, Matsushita Electric Works, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 近藤 行廣 / Yukihiro Kondo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電工株式会社ウェル・ラボ Advanced Technology Research Laboratory, Matsushita Electric Works, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 越田 信義 / Nobuyoshi Koshida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Technology, Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 発表年月日 | 2000/12/7 |
| 資料番号 | ED2000-195 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 505 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |