エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2000/10/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/10/13
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/10/13
[資料番号]
高品質SiCバルク単結晶の成長

中山 浩二,  三柳 洋一,  高田 禎介,  塩見 弘,  西野 茂弘,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-169,CPM2000-108
光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製

中村 敦,  竹内 一喜,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-170,CPM2000-109
電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価

竹内 一喜,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-171,CPM2000-110
InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗

松本 和幸,  菅谷 武芳,  張 起連,  清水 俊行,  小倉 睦郎,  米井 健治,  杉山 佳延,  関口 隆史,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-172,CPM2000-111
RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性

齋藤 義樹,  山口 智広,  荒木 努,  名西 〓之,  寺口 信明,  鈴木 彰,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-173,CPM2000-112
RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定

山下 孝,  鈴木 幸司,  中野 隆生,  吉本 昌広,  更家 淳司,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-174,CPM2000-113
RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長

中原 健,  田辺 哲弘,  高須 秀視,  フォンス ポール,  岩田 拡也,  山田 昭政,  松原 浩司,  フンガー ラルフ,  仁木 栄,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-175,CPM2000-114
リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制

杉野 隆,  山本 健輔,  藤田 憲生,  中島 成,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-176,CPM2000-115
高出力InGaP/GaAs複合チャネルFET

田中 邦男,  中田 健,  乙部 健二,  中島 成,  

[発表日]2000/10/13
[資料番号]ED2000-177,CPM2000-116
[OTHERS]

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[発表日]2000/10/13
[資料番号]