| 講演名 | 2000/10/13 RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定 山下 孝, 鈴木 幸司, 中野 隆生, 吉本 昌広, 更家 淳司, |
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| 抄録(和) | 金属Inとrfプラズマで励起した窒素を原料とする分子線エピタキシャル(MBE)法を用いて、基板温度500℃で、InNをSi上に成長した。成長層は1.96eVのバンドギャップを持った多結晶InNであった。成長層は電子密度3×10^<20>cm^<-3>、ホール移動度28cm^2/Vsのn^+形の伝導性を示した。InN/Siヘテロ接合のバンドオフセットをX線光電子分光(XPS)法をもちいて測定した。InNの価電子帯の上端はSiのそれに比べて1.60eV低エネルギー側に位置していることが明らかとなった。InN/Siヘテロ接合をSiデバイスにおいて、ホールに対する障壁を形成する接合として期待される。 |
| 抄録(英) | InN was grown on Si at 500℃ by molecular beam epitaxy (MBE) using In metal and activated nitrogen species generated in rf plasma. The grown layer showed a flat surface and n^+-type conduction with an electron concentration of 3×10^<20>cm^<-3> and a Hall mobility of 28cm^2/Vs. The band offset of InN/Si heterojunction was determined using X-ray photoemission spectroscopy. The top of the valence band of InN was evaluated to be located at 1.60eV lower than that of Si. This implies that the InN/Si heterojunction is a promising system to realize a barrier against holes in Si devices. |
| キーワード(和) | InN / Si / ヘテロ接合 / X線光電子分光法 / バンドオフセット / MBE |
| キーワード(英) | InN / Si / heterojunction / X-ray photoemission spectroscopy / band offset / MBE |
| 資料番号 | ED2000-174,CPM2000-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InN/Si heterojunction fabricated by RF-MBE and its band offset |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| キーワード(4)（和/英） | X線光電子分光法 / X-ray photoemission spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | バンドオフセット / band offset |
| キーワード(6)（和/英） | MBE / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山下 孝 / Takashi Yamashita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 幸司 / Kouji Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中野 隆生 / Takao Nakano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉本 昌広 / Masahiro Yoshimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 更家 淳司 / Junji Saraie |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | ED2000-174,CPM2000-113 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 370 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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