| 講演名 | 2000/10/13 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製 中村 敦, 竹内 一喜, 市村 正也, 荒井 英輔, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | SeO_3^<2->イオンとSO_3^<2->イオンを溶かした溶液と、この二種類のイオンにCd^<2+>イオンを加えた溶液から光化学反応のみにより、それぞれSeおよびCdSe薄膜をガラス基板上に堆積した。試料作製溶液中のSO_3^<2->イオンが300nm以下の波長の紫外線を吸収し、励起されたSO_3^<2->イオンが電子をSeO_3^<2->イオンとCd^<2+>イオンに供給することにより、照射領域のみでSeおよびCdSeの生成反応が起きた。堆積した膜はアモルファス状であり、アニールを施すことによりそれぞれ結晶性は向上した。 |
| 抄録(英) | Se films were successfully formed on a glass substrate in an aqueous solution containing SeO_3^<2-> and SO_3^<2-> ions by photochemical reactions, and CdSe films were formed in an aqueous solution containing SeO_3^<2-> SO_3^<2-> and Cd^<2+> ions. SO_3^<2-> ions in the growth solution absorb ultra-violet light of wavelengths shorter than about 300nm, and the excited SO_3^<2-> ions supply electrons to the SeO_3^<2-> and Cd^<2+> ions. Thus, the formation reaction of Se and CdSe occur only in the illuminated region. The deposited films were amorphous, and crystallinity were improved by the annealing. |
| キーワード(和) | 水溶液 / 亜硫酸イオン / 紫外線 / 光化学反応 / Se / CdSe |
| キーワード(英) | aqueous solution / sulfurous ion / ultra-violet light / photochemical reaction / Se / CdSe |
| 資料番号 | ED2000-170,CPM2000-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photochemical deposition of selenide semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水溶液 / aqueous solution |
| キーワード(2)（和/英） | 亜硫酸イオン / sulfurous ion |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外線 / ultra-violet light |
| キーワード(4)（和/英） | 光化学反応 / photochemical reaction |
| キーワード(5)（和/英） | Se / Se |
| キーワード(6)（和/英） | CdSe / CdSe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 敦 / Atsushi Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 一喜 / Kazuki Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | ED2000-170,CPM2000-109 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 370 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |