エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1999/04/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1999/4/23
[資料番号]
目次

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[発表日]1999/4/23
[資料番号]
固相成長とエキシマレーザアニール法で形成したPoly-Si薄膜の特性評価

綾 洋一郎,  阿部 寿,  納田 朋幸,  長谷川 勲,  宮井 良雄,  浜田 弘喜,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-11
エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討

松尾 直人,  綾 洋一郎,  河本 直哉,  / 納田 朋幸,  浜田 弘喜,  三好 正毅,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-12
低温ポリシリコン薄膜の作製と評価 : エキシマーレーザーアニールによる結晶化プロセスと結晶性の関係

西谷 幹彦,  西谷 輝,  坂井 全弘,  後藤 真志,  山本 睦,  溝口 幸司,  中島 信一,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-13
TFT-LCD用低温poly-Siの水素化処理と電子移動度

北原 邦紀,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-14
高移動度ポリシリコンTFTのゲート電圧による半導体-金属転移と負の磁気抵抗 : 低温の微視的輸送現象

石田 修一,  芹川 正,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-15
Siウエファ表面への有機炭素吸着と自然酸化膜形成

河本 直哉,  松尾 直人,  藍原 大介,  福岡 達夫,  三好 正毅,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-16
シリコンウェハ表面汚染物挙動について

上村 賢一,  森本 敏弘,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-17
トンネル埋め込み酸化膜をもつ極薄SOI構造のC-V特性

石川 靖彦,  牧田 繁典,  小杉 真章,  水野 武志,  田部 道晴,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-18
急速酸化法を用いたシリコン表面における分圧酸化の機構の検討 : Silicon fragmentモデルによる解釈

小谷 泰実,  大村 泰久,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-19
酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用

植田 康之,  森泉 和也,  冬木 隆,  松波 弘之,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-20
極薄SiO_2膜の低電圧領域における直接トンネル電流解析 : 多谷構造縮退と非弾性散乱の効果

山内 純也,  北川 康範,  松尾 直人,  三浦 隆司,  三好 正毅,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-21
超高真空対応非接触容量-電圧法による水素終端Si表面の評価

吉田 俊幸,  橋詰 保,  長谷川 英機,  坂井 高正,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-22
ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果

松尾 慎一郎,  佐道 泰造,  中島 寛,  鶴島 稔夫,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-23
磁界励起プラズマによるSiの低温酸化

佃 龍明,  生駒 英明,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-24
磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流ストレス耐性

立川 真之,  生駒 英明,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-25
SOI基板上サブ50nm金属ゲートSchottky Source/Drain MOSFET

斎藤 渉,  伊藤 淳,  山上 滋春,  浅田 雅洋,  

[発表日]1999/4/23
[資料番号]ED99-26
[OTHERS]

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[発表日]1999/4/23
[資料番号]