| 講演名 | 1999/4/23 エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討 松尾 直人, 綾 洋一郎, 河本 直哉, / 納田 朋幸, 浜田 弘喜, 三好 正毅, |
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| 抄録(和) | ELAにより形成されたpoIy-Si膜の特性を調べた。結晶性はレーザエネルギ密度、ショット数の増加と共に向上する。ある臨界のレーザエネルギ密度、ショット数で2次元結晶粒成長を生じる。又、a-Si膜中に含まれる水素原子の濃度により再結晶化が促進される事も解った。Poly-Si膜の再結晶化の機構を議論した。実験結果を反映し、成長プロセスを核形成、繊維状結晶粒成長、2次元結晶粒成長の三段階にわけた。過冷却液体からの核形成の理論では今回の実験結果を説明できないことから、転位運動に基ずく成長機構を検討した。特に、臨界条件において2次元結晶粒成長を急激に生じるという現象に関しても理解できる。 |
| 抄録(英) | Characteristics of polycrystalline silicon (poly-Si) film prepared by excimer laser annealing was examined. The crystallinity increases as increasing the energy density and the number of shot. The secondary grain growth occurs at the critical laser condition. It is activated by the hydrogen atoms in the a-Si film. Recrystallization for poly-Si film by ELA was discussed by considering the experimental results that three stages of nucleation, textured grain growth and secondary grain growth are observed. The movement of the dislocation is introduced to investigate the present phenomenon, because the theory related to the nucleation from the super cooled liquid does not make clear the growth mechanism. The rapid growth of the grain at the critical condition of the laser irradiation is also explained. |
| キーワード(和) | poly-Si膜 / 再結晶化 / 水素 / 過冷却液体 / 転位 |
| キーワード(英) | poly-Si film / recrystallization / hydrogen / super cooled liquid / dislocation |
| 資料番号 | ED99-12 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/4/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of Growth Model of Low-Temperature Processed Poly-Si Film Prepared by Excimer Laser Annealing : from vicwpoint of dislocation theory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | poly-Si膜 / poly-Si film |
| キーワード(2)（和/英） | 再結晶化 / recrystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 水素 / hydrogen |
| キーワード(4)（和/英） | 過冷却液体 / super cooled liquid |
| キーワード(5)（和/英） | 転位 / dislocation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 綾 洋一郎 / Yoichiro Aya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / Naoya Kawamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / 納田 朋幸 / Fakhrul Anwar |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / Tomoyuki Nouda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三好 正毅 / Hiroki Hamada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/4/23 |
| 資料番号 | ED99-12 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 22 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |