| 講演名 | 1999/4/23 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用 植田 康之, 森泉 和也, 冬木 隆, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | ECRリモートプラズマ法を用いて、ナノメータオーダーの極薄SiO_2膜を500℃以下の低温で形成した。膜形成速度の温度依存性から、リモートプラズマ法が低温プロセスとして有力であることを示す。低温で形成されたSiO_2膜の電気的特性を電流一電圧測定ならびに高周波容量一電圧測定により評価した。また試料表面処理方法として保護酸化膜形成、酸化後の処理として高速熱処理などプロセスの改良を行い、このプロセスが界面特性および作製したMOSFETの動作特性に与える効果について議論する。 |
| 抄録(英) | Nanometer-order ultra-thin SiO_2 films wefe formed at low temperatures below 500℃ by ECR remote plasma process. The dependence of the oxidation rate on the substrate temperature showed the feasibilify of the remote plasma process. The electric properties of formed SiO_2 films were evaluated by I-V and high-frequency C-V measurements. The formation of protective oxide on the surface before oxidation and RTA (rapid thermal annealing) after oxidation were performed for the improvement of the electric properties. Achieved Si/ SiO_2interface characteristics were discussed in detajl relating to performances of MOSFETs |
| キーワード(和) | 極薄SiO_2膜 / ECRリモートプラズマ法 / 低温酸化 / 保護酸化膜 / MOSFET |
| キーワード(英) | ultra-thin SiO_2 / ECR remote plasma / low-temperature oxidation / MOSFET |
| 資料番号 | ED99-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/4/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Ultra-thin Gate SiO_2 at Low Temperatures by Activated Oxygen and Application to MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極薄SiO_2膜 / ultra-thin SiO_2 |
| キーワード(2)（和/英） | ECRリモートプラズマ法 / ECR remote plasma |
| キーワード(3)（和/英） | 低温酸化 / low-temperature oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | 保護酸化膜 / MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 植田 康之 / Y. Ueda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto Uriiversity |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森泉 和也 / K. Moriizumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto Uriiversity |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / T. Fuyuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate Schoo1 of Material Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H. Matsunami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto Uriiversity |
| 発表年月日 | 1999/4/23 |
| 資料番号 | ED99-20 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 22 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |