エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1996/12/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/12/13
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/12/13
[資料番号]
微小間隙電極間における電界放射電流の挙動(II) : 吸着気体量の概算

芦原 和人,  中根 英章,  安達 洋,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-135
TiとSi共蒸着によるWからの電界放射電子の収束

安達 洋,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-136
AuコートSiエミッタの特性評価

井出 哲也,  井上 喜央,  浦山 雅夫,  竹川 宜志,  丸尾 祐二,  徳丸 照高,  澤幡 純一,  宇田 啓一郎,  矢野 盛規,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-137
高安定化収束電子銃の開発

鹿川 能孝,  金丸 正剛,  伊藤 順司,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-138
陽極化成による単結晶シリコンフィールドエミッタの製作

比嘉 勝也,  西井 清明,  浅野 種正,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-139
化成処理したシリコンにタングステンをコートしたフィールドエミッタアレイのエミッション電流とその安定性

細野 彰彦,  由良 信介,  森川 和敏,  川淵 真嗣,  奥村 貴典,  堀端 慎二,  奥田 荘一郎,  原田 昿嗣,  高井 幹夫,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-140
多孔質シリコンを用いた面放出形コールドカソード : 基本特性と電子放出機構

盛 夏,  小山 英樹,  越田 信義,  吉川 高正,  小笠原 清秀,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-141
Si-MOSトンネル陰極の電子放射特性

阿部 善亮,  池田 順司,  田原 薫,  寒河江 克己,  三村 秀典,  横尾 邦義,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-142
p型ZnSeのNEA状態を用いた電子放出エミッタを目指して

荒川 知徳,  青木 徹,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-143
GaAs/AlAs超格子のサブバンド特性とフィールドエミッタへの応用

三村 秀典,  細田 誠,  大谷 直毅,  池田 順司,  根尾 陽一郎,  嶋脇 秀峰,  横尾 邦義,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-144
PMN-PTセラミックからのパルス電界誘起電子放出

倉谷 康浩,  奥山 雅則,  

[発表日]1996/12/13
[資料番号]ED96-145
[OTHERS]

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[発表日]1996/12/13
[資料番号]