講演名 | 1996/12/13 高安定化収束電子銃の開発 鹿川 能孝, 金丸 正剛, 伊藤 順司, |
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抄録(和) | フィールドエミッタを利用した収束電子銃の電子放出特性の安定化について報告する.作製した収束電子銃はn/p接合を有するコーン型のSiフィールドエミッタで,電子の引き出し用のゲート電極と電子ビームを絞り込むための収束電極を縦方向に備え持つ構造である.このエミッタ内部にn/p接合を形成することで,エミッタ電流が印加電圧に対して飽和を示す特性が得られ,エミッション電流の不安定性を改善できた. |
抄録(英) | A new double-gated electron gun with an n-p junction with in each Si emitter was developed for beam current stabilization. Two 0.2um-thick Nb gates, upper and lower were laminated to a Si substrate and had operating surrounding the tips with 2.5um and 1.7um is diameter respectively. The lower gate was used as an extraction gate and the upper on was based as a lens to focus the electrons emitter from the tip. |
キーワード(和) | フィールドエミッタ / 収束電子銃 / 電子放出 / シリコンエミッタ / pn接合 |
キーワード(英) | field emitter / double-gated electron gun / electron emission / silicon emitter / pn junction |
資料番号 | ED96-138 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 1996/12/13(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高安定化収束電子銃の開発 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Development of beam current stabilization double-gated electron guns |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | フィールドエミッタ / field emitter |
キーワード(2)(和/英) | 収束電子銃 / double-gated electron gun |
キーワード(3)(和/英) | 電子放出 / electron emission |
キーワード(4)(和/英) | シリコンエミッタ / silicon emitter |
キーワード(5)(和/英) | pn接合 / pn junction |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鹿川 能孝 / Yoshitaka kagawa |
第 1 著者 所属(和/英) | 双葉電子工業(株) Fmaba Co., Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru |
第 2 著者 所属(和/英) | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
第 3 著者 氏名(和/英) | 伊藤 順司 / Junji Itoh |
第 3 著者 所属(和/英) | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
発表年月日 | 1996/12/13 |
資料番号 | ED96-138 |
巻番号(vol) | vol.96 |
号番号(no) | 412 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |