| 講演名 | 1996/12/13 AuコートSiエミッタの特性評価 井出 哲也, 井上 喜央, 浦山 雅夫, 竹川 宜志, 丸尾 祐二, 徳丸 照高, 澤幡 純一, 宇田 啓一郎, 矢野 盛規, |
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| 抄録(和) | Auコート(蒸着) Siエミッタの特性について報告する.このSiエミツタは,ゲート絶縁膜にSi熱酸化膜を用いたものである.我々は,化学的なガス吸着を防ぎエミッション電流の安定化を図る目的で,AuコートSiエミッタを作製した.このエミッタにおいてゲート電圧140Vで,アノード電流34μAを得た.更に,エミッション電流の時間変動,F-Nプロット等のエミッション特性及びエミッション発光パターン観察の比較結果がらAu中へのSiの拡散の可能性を確認した. |
| 抄録(英) | We report on the characteristics of Au evaporated Si field emitter. Our field emitter have a structure having a thermally oxidized SiO_2 film as an insulator layer which separates the gate electrodes from the silicon cathode substrate. Au evaporated Si field emitter was fabricated to obtain the stable current at the emitter by preventing from chemical gas absorption. An anode current of 34μA at 140V has been obtained in the Au evaporated Si field emitter. It is plausible that Si was diffused out from Au surface, according to the result of the nein emission characteristics and the observation of light emitting pattern. |
| キーワード(和) | 真空マイクロエレクトロニクス / Siフイールドエミッ夕 / Auコート(蒸着)エミッタ |
| キーワード(英) | vacuum microelectronics / silicon field emitter / Au evaporated emitter |
| 資料番号 | ED96-137 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1996/12/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AuコートSiエミッタの特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Emission Characteristics of the Au evaporated Si Emitter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 真空マイクロエレクトロニクス / vacuum microelectronics |
| キーワード(2)（和/英） | Siフイールドエミッ夕 / silicon field emitter |
| キーワード(3)（和/英） | Auコート(蒸着)エミッタ / Au evaporated emitter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井出 哲也 / T. Ide |
| 第 1 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 喜央 / Y. Inoue |
| 第 2 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浦山 雅夫 / M. Urayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹川 宜志 / Y. Takegawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 丸尾 祐二 / Y. Maruo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 徳丸 照高 / T. Tokumaru |
| 第 6 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 澤幡 純一 / J. Sawahata |
| 第 7 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 宇田 啓一郎 / K. Uda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 矢野 盛規 / S. Yano |
| 第 9 著者 所属（和/英） | シャープ(株)機能デバイス研究所 Sharp Corp. Functional Devices Labs. |
| 発表年月日 | 1996/12/13 |
| 資料番号 | ED96-137 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 412 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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