エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2007/11/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2007/11/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2007/11/9
[資料番号]
Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析(薄膜プロセス・材料,一般)

毛利 千里,  小黒 恭平,  吉田 隆,  富永 隼賢,  加藤 孝弘,  濱崎 勝義,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-105
Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価(薄膜プロセス・材料,一般)

吉田 隆,  名和 海明,  富永 隼賢,  三輪 淳,  加藤 孝弘,  濱崎 勝義,  島影 尚,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-106
RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性(薄膜プロセス・材料,一般)

イブラヒム テンクー ナズリン ビン テンクー,  田中 久仁彦,  打木 久雄,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-107
第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)

朝野 章,  片桐 裕則,  黒木 雄一郎,  安井 寛治,  高田 雅介,  赤羽 正志,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-108
2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO_2薄膜の高速堆積(薄膜プロセス・材料,一般)

境 哲也,  神谷 攻,  星 陽一,  清水 英彦,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-109
ガスフロースパッタ法で作製されたZrO_2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数(薄膜プロセス・材料,一般)

岩坪 聡,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-110
ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)

武山 真弓,  中台 保夫,  神原 正三,  畠中 正信,  野矢 厚,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-111
ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御(薄膜プロセス・材料,一般)

武山 真弓,  佐藤 勝,  野矢 厚,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-112
サファイア基板及び白金電極上のCr_2O_3スパッタ薄膜の結晶成長(薄膜プロセス・材料,一般)

大月 俊平,  浅田 毅,  岩田 展幸,  山本 寛,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-113
ディップコートしたFeMo及びFePtナノ粒子触媒を用いたCVD法によるカーボンナノチューブの成長(薄膜プロセス・材料,一般)

石塚 大祐,  園村 拓也,  奥山 博基,  岩田 展幸,  山本 寛,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-114
ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)

深田 祐介,  安部 和貴,  黒木 雄一郎,  末光 眞希,  伊藤 隆,  成田 克,  遠藤 哲郎,  中澤 日出樹,  高田 雅介,  安井 寛治,  赤羽 正志,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-115
モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)

荻原 智明,  須藤 晴紀,  安井 寛治,  赤羽 正志,  高田 雅介,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-116
ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)

牧野 雄一郎,  三浦 仁嗣,  西山 洋,  安井 寛治,  高田 雅介,  井上 泰宣,  赤羽 正志,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-117
バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

石田 芳樹,  陳 晨,  萩原 正宜,  塩沢 宏章,  仙石 昌,  林部 林平,  山上 朋彦,  上村 喜一,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-118
Cu_2ZnSnS_4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)

宮本 裕介,  田中 久仁彦,  大貫 雅俊,  森竹 典子,  打木 久雄,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-119
ゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜太陽電池の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)

大貫 雅俊,  森竹 典子,  田中 久仁彦,  打木 久雄,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-120
PCD法によるCu_2ZnSnS_4を用いたの3Dセル構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

森谷 克彦,  佐伯 勇輔,  田中 久仁彦,  打木 久雄,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-121
PLD法によるEuGa_2S_4薄膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)

金田 亮平,  田中 久仁彦,  打木 久雄,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]CPM2007-122
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