| 講演名 | 2007-11-17 ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般) 深田 祐介, 安部 和貴, 黒木 雄一郎, 末光 眞希, 伊藤 隆, 成田 克, 遠藤 哲郎, 中澤 日出樹, 高田 雅介, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | 窒化ガリウム(GaN)は、wide-bandgap半導体で短波長、高温で動作する光デバイスとして用いられている。我々はこれまで、メッシュ状のタングステン(W)を用いたHot-mesh CVD法によりAlN/SiC/Si上へGaN膜を成長を試みてきた。得られた膜はWメッシュ温度1200℃において良好な結晶性、光学特性を示した。今回、さらにメッシュ温度の低温化を目指し、RuをコートしたWメッシュを用いてGaN成長を試みた。その結果、RuコートしたWメッシュを用いることで、1100℃以下の低温成長において結晶性や光学特性が改善した。 |
| 抄録(英) | Gallium nitride (GaN) is wide-bandgap compound semiconductor, which is useful for optoelectronic devices operating in short wavelength and at high temperatures. In our previous study, hot-mesh CVD method using heated tungsten (W) with a mesh structure was investigated for the growth of hexagonal GaN on AlN/SiC/Si substrates. The GaN films grown at the hot-mesh temperature of 1200℃ showed good crystallinity and a strong near-band-edge emission. In order to lower the mesh temperature during the growth, the GaN films on AlN/SiC/Si substrates using Ru-coated W hot-mesh was investigated. By using the Ru-coated W hot mesh, the crystallinity and the PL spectrum of GaN films growth of lower than 1100℃ were further improved. |
| キーワード(和) | GaN / アンモニア / Ru / W-mesh / Hot-mesh CVD |
| キーワード(英) | GaN / ammonia / Ru / W-mesh / Hot-mesh CVD |
| 資料番号 | CPM2007-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/11/9(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN by hot-mesh CVD : Effect of Ru coated W mesh |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | アンモニア / ammonia |
| キーワード(3)（和/英） | Ru / Ru |
| キーワード(4)（和/英） | W-mesh / W-mesh |
| キーワード(5)（和/英） | Hot-mesh CVD / Hot-mesh CVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 深田 祐介 / Yusuke FUKADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安部 和貴 / Kazuki ABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黒木 雄一郎 / Yuichiro KUROKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 末光 眞希 / Maki SUEMITSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学学際科学国際高等センター Center of Interdisciplinary Research, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆 / Takashi Ito |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学学際科学国際高等センター Center of Interdisciplinary Research, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 九州工業大学工学部 Kyusyu Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 遠藤 哲郎 / Tetsuro ENDOU |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research of Institute & Technology, Hirosaki University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki NAKAZAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 弘前大学理工学部 Hirosaki University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高田 雅介 / Masasuke TAKATA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2007-11-17 |
| 資料番号 | CPM2007-115 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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