| 講演名 | 2007-11-17 モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般) 荻原 智明, 須藤 晴紀, 安井 寛治, 赤羽 正志, 高田 雅介, |
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| 抄録(和) | Si(001)-2x1清浄表面上にモノメチルゲルマン(MMGe: GeH_3CH_3)を用いて高密度Geナノドットの形成を行った。ドットの高密度化を図るため,基板温度を高温と低温に交互に繰り返すパルス制御核発生法を用いた.その結果,Si(001)表面上に密度1.3x10^<12>cm^<-2>,平均ドット径6nm,標準偏差1nmの高密度で均一なナノドット形成に成功した.また,反射高エネルギ電子線回折(RHEED),走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面構造観察から表面層にGe(SiGe)ナノドットとSiCドットが存在していることが確認された. |
| 抄録(英) | Formation of high-density nano-dots using monomethylgermane (MMGe) on Si(001)-2°off surface was investigated. By the pulse-controlled nucleation method, which changes the substrate temperature at low and high temperatures alternatively, uniform nanodots of 1.3x10^<12>cm^<-2> in density and 6nm in diameter, this dot size enable the quantum effect to occur, were successfully formed. From reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and scanning tunneling microscopy (STM), the coexistence of Ge (SiGe) nanodots and SiC nanodots on the surface was confirmed. |
| キーワード(和) | Geナノドット / SiCナノドット / モノメチルゲルマン / STM / REEED |
| キーワード(英) | Ge nano-dot / SiC nano-dot / Monomethylgermane (MMGe) / STM / RHEED |
| 資料番号 | CPM2007-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/11/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation and control of Ge, SiC nanodots on Si(001)-2x1 surface using monomethylgermane |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Geナノドット / Ge nano-dot |
| キーワード(2)（和/英） | SiCナノドット / SiC nano-dot |
| キーワード(3)（和/英） | モノメチルゲルマン / Monomethylgermane (MMGe) |
| キーワード(4)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(5)（和/英） | REEED / RHEED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 荻原 智明 / Tomoaki Ogiwara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 須藤 晴紀 / Haruki Sutou |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji Yasui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi Akahane |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高田 雅介 / Masasuke Takata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2007-11-17 |
| 資料番号 | CPM2007-116 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |