12月20日(金) 午後
13:00 - 17:45 |
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13:00-13:05 |
開会の挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
13:05-13:35 |
［招待講演］シリコンフォトニクスデバイスの光実装技術 ～ 並列光信号の外部接続 ～ |
○平 洋一・沼田英俊（日本IBM） |
| (2) |
13:35-14:00 |
ゲルマニウム発光の温度依存性の第一原理計算 |
○諏訪雄二（光電子融合基盤技研/PECST/日立） |
| (3) |
14:00-14:25 |
高電圧駆動時におけるWG型ゲルマニウムPDの挙動とその解析 |
○武田浩太郎・開 達郎・土澤 泰・西 英隆・高 磊・福田 浩・山本 剛（NTT）・石川靖彦・和田一実（東大）・山田浩治（NTT） |
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14:25-14:35 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
14:35-15:00 |
10-Gb/sSiマッハツェンダ変調器による光ファイバ100km伝送 |
○石原啓樹・小里貞次郎・五井一宏・小川憲介（フジクラ） |
| (5) |
15:00-15:25 |
3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ |
○カン ジュンヒョン・渥美裕樹・林 侑介・鈴木純一・久能雄輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） |
| (6) |
15:25-15:50 |
擬似位相整合ニオブ酸リチウム光導波路の縦続二次非線形効果を用いた全光学的超高速再生中継器の特性解析 ～ 信号とクロック間の時間オフセットの効果 ～ |
○永島文洋・福地 裕（東京理科大） |
| (7) |
15:50-16:15 |
ビスマスベース能動モード同期ファイバレーザ |
○村井 透・福地 裕（東京理科大） |
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16:15-16:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (8) |
16:25-16:55 |
［招待講演］シリコン導波路とMEMSアクチュエータの組み合わせによる光路制御 ～ 波長選択スイッチのためのMEMS可変マイクロリング ～ |
○羽根一博・ホアンマン チュ（東北大） |
| (9) |
16:55-17:20 |
メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御 |
○雨宮智宏・金澤 徹（東工大）・石川 篤（理研）・カン ジュンヒョン・西山伸彦・宮本恭幸（東工大）・田中拓男（理研）・荒井滋久（東工大） |
| (10) |
17:20-17:45 |
マイクロリング共振器装荷マッハ・ツェンダー光スイッチの設計 |
○西村真樹・ラジディープ ゴータム・荒川太郎・國分泰雄（横浜国大） |
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