下記の通り講演会が開催されますのでご案内いたします．皆様のご参加をお待ちしております．
日時
2020年12月21日(月) 8:45-10:15
場所
出席者用イベントアドレス: https://kit-edu.webex.com/kit-edu/onstage/g.php?MTID=efd807c3cbf033281f53c1205b9769c9a
イベント番号: 165 761 1947
イベントパスワード: Hxwm8NfZ9V8
講演題目
プロフェッショナルなエンジニアになるために
- すべてのエンジニアは新人から始まる
DRAM開発の最初の一歩の話です． - フラッシュメモリの研究開発から学んだこと
講師
作井 康司 氏 (Semicon Consulting (株) 技監 IEEEフェロー)
講演概要
東芝を代表とする日本がフラッシュメモリの技術革新を牽引した結果，iPhone 等のスマートフォン，USB，SDカード，SSDと広く応用されています．全世界で生 産されるフラッシュメモリは，2017年には6兆円のビジネスに到達し，Google等 のサーバーに搭載され，そのための研究開発も活発に進められています．
「フラッシュメモリとは?」というお話は，舛岡先生の本田賞記念講演(僭越 にも作井が代理講演致しました)を元にもう少し膨らませた内容です．本講義で は，(1)東芝の舛岡富士雄博士が発明したフラッシュ，NOR型フラッシュメモリ， NAND型フラッシュメモリがいかに生み出されたか，(2)舛岡先生は30年先を見え るVisionerですが，Intelは会社として，30年先を見ていたのではないか?その 中で現在の3D NAND Flashになって行くまで，どのような過程があったのか， (3)研究技術者を育てることが研究開発に必要であり，0から1を起こすための 研究開発には，特許，論文，製品が大切であること，を文系の方々にも理解して 頂ける内容です．
世話人
武山 真弓
北見工業大学工学部地球環境工学科・教授